※Semiconductor International Capacity Statistics（世界半導体生産キャパシティ統計）（SICAS）のデータをもとにプレスジャーナルが作成
MOS0.3μm以上0.4μm未満
| |
生産能力 |
実投入数 |
生産稼働率 |
| ウェーハ投入数/週×1000（6インチ換算） |
前期比伸長率（％） |
前年同期比伸長率（％） |
ウェーハ投入数/週×1000（6インチ換算） |
前期比伸長率（％） |
前年同期比伸長率（％） |
前年同期比伸長率（％） |
| 01年1Q |
177 |
-14.8 |
-4.8 |
151.7 |
-23.3 |
-13.3 |
85.7 |
| 2Q |
187.7 |
6 |
-1.3 |
123.6 |
-18.5 |
-31.6 |
65.8 |
| 3Q |
192.1 |
2.3 |
-6.7 |
101.2 |
-18.1 |
-50 |
52.7 |
| 4Q |
184.9 |
-3.7 |
-11 |
103.1 |
1.9 |
-47.9 |
55.8 |
| 02年1Q |
192.1 |
3.9 |
8.5 |
132 |
28 |
-13 |
68.7 |
| 2Q |
196 |
2 |
4.4 |
157 |
18.9 |
27 |
80.1 |
| 3Q |
197.3 |
0.7 |
2.7 |
151 |
-3.8 |
49.2 |
76.5 |
| 4Q |
207.1 |
5 |
12 |
151.3 |
0.2 |
46.8 |
73.1 |
| 03年1Q |
196.6 |
-5.1 |
2.3 |
152.4 |
0.7 |
15.5 |
77.5 |
| 2Q |
194.9 |
-0.9 |
-0.6 |
153.8 |
0.9 |
-2 |
78.9 |
| 3Q |
198.8 |
2 |
0.8 |
161.4 |
4.9 |
6.9 |
81.2 |
| 4Q |
198.2 |
-0.3 |
-4.3 |
176.6 |
9.4 |
16.7 |
89.1 |
| 04年1Q |
193.5 |
-2.4 |
-1.6 |
181.2 |
2.6 |
18.9 |
93.6 |
| 2Q |
196.8 |
1.7 |
1 |
187.6 |
3.5 |
22 |
95.3 |
| 3Q |
200.8 |
2 |
1 |
187 |
-0.3 |
15.9 |
93.1 |
| 4Q |
196.2 |
-2.3 |
-1 |
163.6 |
-12.5 |
-7.4 |
83.4 |
| 05年1Q |
187.5 |
-4.4 |
-3.1 |
152.3 |
-6.9 |
-15.9 |
81.2 |
| 2Q |
185.4 |
-1.1 |
-5.8 |
157.0 |
3.1 |
-16.3 |
84.7 |
| 3Q |
194.8 |
5.1 |
-3.0 |
165.6 |
5.5 |
-11.4 |
85.0 |
| 4Q |
194.7 |
-0.1 |
-0.8 |
166.6 |
0.6 |
1.8 |
85.6 |
| 06年1Q |
194.3 |
-0.2 |
3.6 |
156.4 |
-6.1 |
2.7 |
80.5 |
| 2Q |
194.8 |
0.3 |
5.1 |
160.5 |
2.6 |
2.2 |
82.4 |
| 3Q |
189.2 |
-2.9 |
-2.9 |
157.7 |
-1.7 |
-4.8 |
83.4 |
| 4Q |
193.2 |
2.1 |
-0.8 |
157.2 |
-0.3 |
-5.6 |
81.4 |
| 07年1Q |
156.7 |
-18.9 |
-19.4 |
124.2 |
-21.0 |
-20.6 |
79.3 |
| 2Q |
152.7 |
-2.6 |
-21.6 |
129.7 |
4.4 |
-19.2 |
84.9 |
| 3Q |
149.5 |
-2.1 |
-21.0 |
128.7 |
-0.8 |
-18.4 |
86.1 |
| 4Q |
150.5 |
0.8 |
-22.1 |
124.5 |
-3.3 |
-20.8 |
82.7 |
| 08年1Q |
145.7 |
-3.2 |
-7.0 |
126.8 |
1.8 |
2.1 |
87.0 |
| 2Q |
|
|
|
|
|
|
|
| 3Q |
|
|
|
|
|
|
|
| 4Q |
|
|
|
|
|
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