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2010年2月

・ SEMI,10年1月の北米半導体製造装置のBBレシオを発表(10/2/22)
・ iSuppli,10年のDRAM世界市場は前年比40.4%増(10/2/22)
・ KLA-Tencor,EUV・DPL用バーチャル・リソグラフィ・ツールを発表(10/2/22)
・ ARMとST-Ericsson,Androidを対称型マルチプロセシングに最適化(10/2/22)
・ SEAJ,10年1月の日本製半導体製造装置のBBレシオを発表(10/2/19)
・ TEL,ダブルパターニングプロセスでの量産に向けた塗布現像装置を展開(10/2/19)
・ NECとNECEL,次世代高速通信インタフェースの基本回路技術を開発(10/2/19)
・ ARMとGLOBALFOUNDRIES,次世代モバイル向けSoCプラットフォームの標準規格を発表(10/2/19)
・ ヨコオ,多ピンSoC/大電流検査用狭ピッチ・低抵抗プローブのラインナップを拡充(10/2/19)
・ SEAJ,09年12月の日本市場半導体製造装置統計を発表(10/2/17)
・ TEL,IMECとEUV露光技術における共同研究を拡大(10/2/17)
・ ディスコ,呉工場新棟の建設を決定(10/2/17)
・ LSI,6Gビット/秒対応RAIDコントローラ・カードを発表(10/2/17)
・ Novellus,PECVD装置が累計1000台出荷を達成(10/2/17)
・ 日立国際電気,GaN HEMTを用いた無線基地局用の送信増幅器を開発(10/2/17)
・ 三洋,電源電圧1.65Vに対応したSPI NOR型 低電圧シリアルフラッシュメモリを開発(10/2/17)
・ SEMI,09年の半導体用Siウェーハ出荷面積・販売額を発表(10/2/15)
・ 東芝と産総研,光リソグラフィの限界性能を引き出すマスクパターン最適化技術を開発(10/2/15)
・ 東芝,携帯電話向けフルHD対応アプリケーションプロセッサのプラットフォームを開発(10/2/15)
・ 富士通研究所,従来比1/10の消費電力と小型化を実現したA/D変換器を開発(10/2/15)
・ NECEL,高解像度・低消費電力を実現した携帯端末機器向け画像処理LSIを発表(10/2/15)
・ シリコン部会,09年の業況および10年の見通しを発表(10/2/12)
・ Micron,Numonyxを約12億7000万ドルで買収(10/2/12)
・ MicronとNanya,42nmのDRAMプロセス技術を発表(10/2/12)
・ IMEC,ISSCCで超低電力デバイス技術などを発表(10/2/12)
・ 富士通研究所とUniversity of Toronto,スピン注入型MRAMの高信頼な読み出し方式を開発(10/2/12)
・ 富士通研究所ら,デジタル回路による高速送受信を実現するデータ処理方式を開発(10/2/12)
・ 富士通研究所,地上デジタルTV放送受信用の周波数シンセサイザの小型化に成功(10/2/12)
・ ルネサスら,40nm CMOSを用いたマルチスタンダード無線トランシーバを開発(10/2/12)
・ 東レ・ダウコーニング,次世代パワー半導体向け材料の新技術を開発(10/2/12)
・ Synopsys,Cowareを買収(10/2/12)
・ 産総研,有機化合物クロコン酸の室温強誘電性を発見(10/2/12)
・ ディスコ,レーザソーの累計販売台数が200台を突破(10/2/12)
・ 東レ,ハロゲンフリーの難燃性無色透明アラミドフィルムを開発(10/2/12)
・ SEAJ,09年12月の世界半導体製造装置販売統計を発表(10/2/10)
・ JVIA,09年第4四半期および通期の真空機器受注・売上統計を発表(10/2/10)
・ ルネサス,RXファミリ第三弾 モータ制御向けマイコンを発表(10/2/10)
・ 東芝,中国における半導体後工程合弁事業会社の概要を発表(10/2/10)
・ NEC,次世代システムLSIの電力を半減する基本回路技術を開発(10/2/10)
・ 日立,100Gビットイーサネット向け超低消費電力トランシーバ回路を開発(10/2/10)
・ IC Insights,10年IC産業の楽観材料10個を提示(10/2/8)
・ 東芝,低電圧LSIを実現するSRAM回路技術を開発(10/2/8)
・ ソニー,ミリ波による機器内高速ワイヤレス伝送技術を開発(10/2/8)
・ ルネサスら,次世代情報家電向けヘテロジニアスマルチコアLSIを開発(10/2/8)
・ 東芝,半導体メモリ後工程部門の開発力強化(10/2/5)
・ ルネサス,中国の半導体後工程工場に新棟が竣工(10/2/5)
・ 富士電機,パワーデバイスの高効率変換回路システムを開発(10/2/5)
・ IntelとMicron,25nmプロセス技術によるNAND型フラッシュメモリを発表(10/2/3)
・ Samsung,3Xnmプロセスを用いたDDR3 DRAMを発表(10/2/3)
・ ディスコ,精密加工装置/ツールの工場新棟を竣工(10/2/3)
・ ローム,スマートメーター用シリアルEEPROMを発表(10/2/3)
・ IC Insights,09年のファンドリ企業ランキング発表(10/2/1)
・ 富士経済,世界半導体材料市場を調査(10/2/1)
・ ADI,10年度事業方針説明会を開催(10/2/1)
・ Aixtron,R&D施設を拡張(10/2/1)