12月14日

Amkor Technology
FOCとRDL技術をK＆Sから移譲

Amkor Technologyは，Kulicke＆Soffa(K＆S)のフリップチップ部門が持つ，Flex on Cap(FOC)およびディストリビューション ウェーハ バンピング技術(RDL/再配線によるバンプ形成)の移譲を受けた。
これにより，Amkorは，韓国光州市のK4工場において200mmウェーハで月産1万枚の生産体制を確立したこととなる。また，今回の移譲により，K＆Sが設定していいる認証テストをクリアしたこととなり，AmkorはK＆Fが設定した歩留り率に対応可能となる。

APiAが300mmウェーハ対応の
パッケージライン構築へ

Advanced Packaging and Interconnect Alliance(APiA)は300mmウェーハ対応のパッケージラインを米アリゾナ州フェニックスに建設すると発表した。 ソルダーバンピングやウェーハレベルCSPなどを行う計画。

APiAは最先端のパッケージング技術の開発や標準化などを目的に結成されたコンソーシアム。
現在，Kulicke & Soffa，Ultratech Stepper，荏原製作所，大日本スクリーン，カシオ，August Technology，Unaxisなどの装置メーカー7社で構成されている。

Applied Materialsがリストラ実施を発表
全社で社員約10％の1700人を削減

Applied Materialsがリストラ実施を発表した。
シリコンバレー地区約450人，テキサス州オースティン地区約600人を含む全社規模で1700人，約10％の社員を削減する。なおリストラ費用は02年1月27日締めの第1四半期に計上される。

同社はこれまで，半導体不況への対応として，役員および社員の給与削減，雇用・出張制限，事業所の臨時休業，希望退職者制度，臨時・契約社員の削減などの経費節減プログラムを実施している。

Philips Semiconductors
携帯機器向け低電圧ロジックファミリを開発

Philips Semiconductorsは，携帯用の家庭電化製品，通信機器向けのAUC（The Advanced Ultra-low Voltage CMOS） ロジックファミリを開発した。現在サンプル出荷中で，02年第1四半期から量産を開始する。
同ファミリは，動作電圧範囲が0.8V〜3.6Vで，1.8V動作に最適化されている。1.5Vのシングルセルバッテリで動作可能なため，携帯機器に最適なうえ，3.6Vの電圧耐性があり，システム設計への高電圧デバイス搭載にも対応できるなどの柔軟性を持っている。

同社では，Texas Instrumentsと協力して，AUCロジックファミリ仕様を開発し，ACUをサポートするために代替ソースに関する提携を結んでいる。

12月13日

Applied Materials
Coシリサイド用のスパッタチャンバを開発

▲ALPS Co PVD チャンバ

Applied Materialsは，トランジスタゲート電極とコンタクト電極形成にCoシリサイドを成膜し，130nm以下のデバイスに適用可能なスパッタチャンバ「Endura ALPS Co」を開発した。
同チャンバは，ターゲットとウェーハのスページングを最適化することにより，アスペクト比2.5：1のトランジスタゲート間のラインアンドスペースでボトムカバレージは70％以上，アスペクト比6：1のコンタクトホールではカバレージ10％以上を実現している。また，50℃以下の低温静電チャックを採用し，ウェーハ温度の正確な制御が可能になっている。

CSRのBluetooth用LSI
Microsoftのロゴプログラムの一つで採用

Cambridge Silicon Radio (CSR)は，同社のBluetoothシングルチップソリューション「BlueCore」が，Microsoftの「Design for Windows」のロゴプログラムの一つに採用されたと発表した。
CSRとMicrosoftは，共同で同プログラム認証試験を開発する。BlueCoreはBluetooth用LSIで，2.4GHz無線機能，ベースバンドやマイクロコントローラをシングルCMOSチップに搭載している。

バイコージャパンと長野日本無線
協業によるコンパクトPCI電源を発表

バイコージャパンと長野日本無線は，コンパクトPCI規格プラグイン電源を発表した。
米バイコーがモジュール電源を使用し，バイコージャパンと長野日本無線が共同で開発・設計を行ったもの。02年1月末から販売を開始する予定。

東芝がプリント基板設計・製造子会社を設立
02年度末にコスト30％の削減を見込んで

東芝は，非量産型プリント基板の設計および製造を行う子会社「東芝ディーエスエム」を設立し，02年1月から操業を開始すると発表した。
新会社の資本金は4億3000万円，02年度の従業員数は，350人を予定し，事業規模は約200億円を見込んでいる。
同社は，東芝の日野工場，府中事業所，那須工場，柳町事業所，小向工場の5事業所と関係の7エンジニアリング子会社から業務の移管を受け，日野工場と那須工場の2か所に製造拠点を集約し，現状の17ラインから12ラインに縮小して設備稼働率の向上を目指す他，開発・製造投資や部材調達を一元化して低コスト化を図る。

東芝では，02年度末にはコスト30％削減が可能になると見込んでおり，将来的にはグループ内関係会社だけでなく，グループ外からの業務受託を進めていき，事業規模の拡大を図るとしている。

NEC
横須賀リサーチパークに技術センタを建設

▲NEC YRP技術センター（仮称）

NECは，横浜リサーチパーク（YRP）内に「NEC YRP技術センター（仮称）」の建設に向け，着工した。
携帯電話のインフラシステムおよび端末のソフトウェアを開発する拠点となり，第3世代携帯電話サービス向けおよび，今後研究開発が本格化する第4世代携帯電話以降のソフトウェアを開発する。敷地面積が1万1360m2で，6階建て同センタの延べ床面積が6870m2，総投資額が約40億円となる。
当初，同センタには開発人員として，携帯電話インフラシステム向けに約130名，携帯電話端末向けに約200名の合計330名となる見込み。また，竣工時期は02年10月を予定している。

日立製作所
SH-4用コンパニオンチップを発表

▲ SH-4用コンパニオンチップ HD64404

日立製作所は，次世代のカーナビゲーションなどの車載情報システム(CIS:Car Information System)向けに，CISに必要な車載LAN，オーディオなどの多様なインターフェースや機能を集積した「HD64404」を発表した。
同製品は，SuperHファミリの高性能CPUコア「SH-4」用のコンパニオンチップで，SH-4と組み合わせることで高機能，高性能な車載情報システムを実現できる。また，次世代の車載情報システムに必要な機能を集積することで，システムを構成する部品数を低減でき，システムの低価格化を実現している。
02年2月から，1万個ロット時で単価が4000円，TBGA-352パッケージでサンプル出荷を開始。

TI
DSPとARM7 RISCをワンチップ化した汎用DSPを製品化

Texas Instruments(TI)は，「TMS320C5000」DSPとARM7 RISCプロセッサを1チップ化したシステムレベルの汎用DSP「TMS320C5470」および「TMS320C5471」を発表した。
DSPとRISCプロセッサを個別に搭載した場合と比較し，システムコストとボード面積をそれぞれ40％削減し，消費電力は30％低減するとしている。また，組込みOSに対応しているため開発時間を大幅に短縮できる。
257ピンの16mm×16mmBGAパッケージで，02年12月13日から出荷を開始。TMS320C5470の10万個受注時の単価は1860円，TMS320C5471の10万個受注時の単価は2110円となっている。

松下産業機器
高出力半導体レーザはんだ付け装置を発表

▲YB-60FL2TAA

松下産業機器は，60Wの高出力半導体レーザに2本の光ファイバを接続し，2箇所同時にレーザ照射が可能な2分岐高出力LDはんだ付け装置ソフトビームLPW「YB-60FL2TAA」を発表した。
1ヘッドあたりのレンズ出力で最大26Wを実現し，集光エネルギー密度は同社の60W機と同レベルとなった。さらに，2ヘッド同時照射により，はんだ付け時間を半減する。また，Pbフリーはんだ付けや，多層プリント基板のはんだ付けも容易に行うことができる。さらに，最小ビーム径がφ0.35�oで，出力エネルギーの精密制御が可能などの特徴を持ち，より微細なワークに対応する。
月産台数が10台で，12月20日からオープン価格で販売する。

12月12日

シャープのマルチチップ･システムオンフィルム
薄型でかつフレキシブル実装も可

▲シャープのマルチチップ･システムオンフィルム

シャープは，独自の実装技術と新規フレキシブル基板の開発により，厚さが従来の硬質基板の1/2以下でシステム化が可能な高密度マルチチップ･システムオンフィルム（SOF）の量産化技術を確立した。
この技術により，機器への部品の実装効率が飛躍的に向上するため，さらなる機器の軽量/小型化と高機能化を実現できる。また，湾曲した筐体中への実装が可能になるなど，従来にない新しい製品開発に貢献できる。

東京精密がリープル株を新たに取得
67％の株主となり関係を強化

東京精密は，リープルの株をこれまでの49％から67％まで増やした。
従来のリープル株は，東京精密が49％で，米国のNanolithとエンジェルラボが51％保有していたが，今回東京精密が67％に持ち株を増やしたことで，Nanolithとエンジェルラボの持ち株はそれぞれ16.5％ずつとなった。

アルバック台湾の新工場が開設
装置の継続的改善/部品供給/サービスを強化

アルバックの台湾現地法人である台湾日真股ｲ分有限公司 (通称：アルバック台湾 )は，納入した装置の継続的改善活動を充実し，サービスをさらに向上させるための新工場を，11月9日に桃園県に開設した。
この工場開設により部品の現地生産体制を拡充，台湾の半導体およびFPD業界向けのサービス体制を強化することが可能となった。

新工場はアルバックが積極的に推進しているCIP活動(Continuous Improvement Program：継続的な改善活動)にちなんでCIP桃園工場と命名。敷地面積は3960ｍ2，工場床面積は3300ｍ2で，装置の分解再生，保守をはじめ装置の現地組立，消耗部品供給を行う。
また，アルバックグループに対して部品やユニットを供給する機能も併せ持っている。

三洋電機
1チップETRコントローラLSIを開発

▲ETRコントローラLSI

三洋電機は，CDおよびラジオの1チップ制御化を実現する，1チップETRコントローラLSI「LC72311W/312W/313W」を開発した。
CDおよびラジオを動作させるシステムクロックを2種持つことにより，それぞれの動作に最適なくロックスピードを選択できる。ラジオ受信時にはCD DSPのクロックが停止する構成になっているため，従来ラジオ受信時に問題となっていた，クロックノイズの影響によるビート障害を解消した。
また，EEPROMを内蔵しており，希望放送局を書き込むことでデータの消失を防ぐことができる。230MHzまで動作するPLL，1/4duty−1/2バイアス型のLCD表示用ドライバを内蔵している。また，電子同調用PLLに必要なローパスフィルタ向けアンプとチューニング電圧発生回路を備えている。

新日本無線
1.8Vから動作可能な入出力フルスイングオペアンブを開発

▲NJM2730

新日本無線は，ノートPC，ポータブルオーディオ向けの低電圧動作入出力フルスイングオペアンブ「NJM2730」を開発した。
1.8Vから動作し，入力0〜5.0V，出力0.1〜4.9Vで入出力フルスイングが可能で，低電圧で広いダイナミックレンジが求められるシステムに最適となっている。また，AC特性はスルーレート0.4V/μs（typ）,利得帯域幅積1MHz（typ）を持ち，入力換算雑音電圧は10ｎV/√Hz（typ）とローノイズを実現している。
サンプル価格は80円で現在サンプル出荷中。02年2月より月産50万個で量産を開始する。

Analog Devices
FPD向けインターフェースソリューションを発表

Analog Devicesはフラットパネルディスプレイ(FPD)向けインターフェースソリューションを発表した。
新製品「AD9887」は140MHzトリプルA/Dコンバータで，PLL，プログラマブルゲイン，オフセット，クランプ制御などを組み込んでいる。また，DVIバージョン1.0規格に準拠し，DVI信号を処理して最高SXGA(112Mpps)の画像分解能を実現する。
XGA向けの「AD9887-100」およびSXGA向け「AD9887-140」は現在160ピンMQFP表面実装パッケージで量産出荷中。価格は1000個受注時でAD9887-100が9.50ドル，AD9887-140が10.90ドル。

AMD
サーバ/WS向けに新製品を発表

Advanced Micro Devices(AMD)はサーバ/ワークステーション向けにMPU「AMD Athlon MP＋1900」およびチップセット「AMD-760MPX」を発表した。
「AMD Athlon MP＋1900」は「Smart MP」技術の採用により，システム全体の高速化を可能にした他，MPUとMPU間，メモリとチップセット間の転送速度を高速化させている。同製品は現在出荷中。価格は1000個一括受注時319ドル。
一方，「AMD-760MPX」は「AMD Athlon MP」ファミリ向けのチップセットで，ノースブリッジ「AMD-762」およびサウスブリッジ「AMD-768」で構成されている。また，266MHzのフロントサイドバス，PC2100 DDR，AGP4Xをサポートしている。

Mindspeed Technologies
高密度クロスポイントスイッチを発表

Mindspeed Technologiesは，次世代大容量スイッチングシステム向けに，高密度クロスポイントスイッチ「M21155」と「M21150」を発表した。
M21155には，クロックデータリカバリー（CDR）および入力イコライゼーションを内蔵。それぞれ，チャネル当たり最高3.2Gbpsをサポートし，各チャネルは独立して，0〜3.2Gbpsの間の任意のデータレートで動作が可能。また，M21155に内蔵されたCDRは1.0〜3.2Gbpsで動作する。M21155の消費電力が約18Wで，M21150の消費電力が約12W。
2製品ともに現在サンプル出荷中で，1156ターミナル，CBGAで供給される。1000個受注時の単価は，M21155が2995ドルでM21150が1500ドル。

TI
浮動小数点DSPを発表

Texas Instruments(TI)は，225MHzの周波数動作で1350MFLOPSの性能を実現する浮動小数点DSP「TMS320C6713」を発表した。
これは他社量産製品と比較して，約2倍の高速浮動小数点演算処理が可能になる。また，豊富なペリフェラルを搭載しているため，開発者はシステムサイズ，消費電力およびコスト削減が可能となる。
同社はまた，00年9月にすでに発表した浮動小数点DSPの演算性能をそれぞれ300MFLOPずつ向上し，価格を30％ずつ低減した「TMS320C6712C」と「TMS320C6711C」を同時に発表した。

12月11日

IBMがダブルゲートTr.を開発
従来型Tr.は5〜10年以内で限界と判断

▲ダブルゲートトランジスタのSEM画像

IBMは，従来型のトランジスタよりサイズを大幅に縮小しながら約2倍の電流と動作速度を実現する「ダブルゲート」トランジスタを開発した。
従来型のトランジスタは小型化を追求してきたが，もはや物理学の法則による限界が近づいている。また，単一のゲートではスイッチングの制御が小型化するにつれて困難になってきている。ダブルゲートトランジスタはチャネルを二つのゲートにはさむことで電流の制御を倍増し，小型で高速・省電力回路を実現した。
同社では，5〜10年以内に従来型トランジスタの小型化が限界に達し，ダブルゲートトランジスタの需要が高まると見込んでいる。

Infineonの300mmFabが完成
02年末からフル稼働/256MDRAMから生産開始

Infineon Technologiesが，独ドレステンに300ウェーハ用Fabを完成させた。
同Fabは02年末からフル稼働の予定。まず0.14μmプロセスの256MDRAMの生産を開始し，その後は同社の技術ロードマップに基づき，順次生産品目を拡大していく。 また，独ドレステンで行われる発表会見を，日本時間12月12日（水）21時30分からインターネットで公開中継する。主な内容は，同社CEO Ulrich Schumacher氏のプレゼンテーション，質疑応答など。

URLはhttp://www.pioneering300.com

Conexantが光通信デバイス向けに
SiGeプロセス新技術を開発

Conexant Systemsは，従来製品の0.18μm SiGe(BiCMOS)技術(SiGe120)から発展させたSiGe200プロセス技術で，ft=200GHz，Fmax=180GHzを実現した。
同技術により，同社は80Gbpsコンポーネント対応製品や，マルチチャンネル10Gbpsサーキットの光ネットワーキングデバイスなどの製品化が可能となる。また，無線の通信デバイスとしては，より低ノイズ，低パワー，リニアリティ向上を図った製品を開発できる。

富士通研がSi-MOSトランジスタを新開発
最高発振周波数185GHz/0.8ｄBの低雑音

▲富士通研究所が試作したMOS Tr.断面図

富士通研究所は，従来比約2倍の最高発振周波数185GHzと，10GHzの周波数において低雑音性能0.8dBを実現するSi-MOSトランジスタを開発した。
SOI（Silicon On Insulator）基板を採用し，通常のSi基板より寄生容量を低減した他，ボディとゲートを電気的に接続したDTMOS（Dynamic Threshold MOS）構造を採用し，ゲート電圧を加えてしきい値電圧を動的に変化させ，相互コンダクタンスを大きくした。
また，ゲート電極上部に通常のシリサイドを形成後，さらに低抵抗のAlをゲート電極上に這わせることで，従来比1/200となる0.02Ω/□のシート抵抗を実現した。 これらによりゲート長80nmのデバイスを試作し評価した結果，ドレイン電圧1.2V，ゲート電圧0.8Vで185GHzの最大発振周波数を実現した。また，周波数10GHzでの雑音指数は，AlGaAs/GaAs低雑音HEMTと同レベルの0.8dBを実現した。
今後同社では，04〜05年の実用化を目指し，開発を進めていく。

Lattice Semiconductor
AgereのFPGAビジネス部門を買収

Lattice Semiconductorは，Agere SystemsのFPGAビジネス部門を即金2億5000万ドルで買収する最終合意に達したと発表した。
この買収は手許のキャッシュを使って財務処理される予定。両社は，規制上の承認および他の慣例上の締結条件に基づいて，この取引が02年の第1四半期までに完了すると予測している。今回の買収にはAgereの汎用ORCA FPGA製品系列，フィールド・プログラマブル・チップ製品系列，および関連するソフトウェア設計ツールが含まれる。

浜松ホトニクスがGeneral Atomicsと提携
全固体YAGレーザ装置を共同開発

浜松ホトニクスは，General Atomicsと加工機用の全固体YAG （Yttrium Aluminum Garnet）レーザ装置を共同開発することで合意した。
浜松ホトニクスが励起用の高出力半導体レーザおよびその周辺技術を供給し，General Atomicsが独自開発したモジュール型YAGをレーザシステムに組み込んで生産する予定。販売は浜松ホトニクスが輸入総代理店としてアジア地域の独占販売を行い，その他の地域は2社が共同で行う。

エス・シー・セミコンがワイヤレスで
in-situのウェーハ温度測定を可能に

▲ワイヤレス半導体ウェーハ温度測定システム

エス・シー・セミコン・テクノロジーは，米OnWafer Technologies社製のワイヤレス半導体ウェーハ温度測定システムの販売を開始した。
同システムは，データ処理・メモリ用のモジュールおよび温度センサを搭載した温度測定用シリコンウェーハ（６インチ〜12インチ）を，通常の搬送ロボットにてプロセス装置に投入。データ解析用ベースステーションPCと完全ワイヤレスでデータ通信し，プロセス中のウェーハ温度の解析を行う。

測定に際しての装置停止や改造が不要のため，ダウンタイムを大幅に削減。また，高真空・プラズマ環境下およびロボット搬送中など製品ウェーハ処理と同一プロセス条件下での実ウェーハ温度変動の直接測定が可能となる。

エス・シー・セミコンでは，当面はリソグラフィおよびプラズマエッチング工程向けの温度測定ウェーハの販売に注力するが，来年以後，測定温度範囲を拡大し，適用プロセス工程を広げていく方針。
なお，システム価格は800万円からで，初年度約５億円の売り上げを見込んでいる。

Linear
3A降圧スイッチング・レギュレータを発表

Linear Technologyは，3.0A降圧スイッチング・レギュレータ「LT1765」を発表した。
電流モード方式を採用しており過渡応答が高速で，優れたループ安定性が得られるとしている。また，入力・負荷・温度の全条件で±2％の出力電圧レギュレーションを維持している。3Aの電流制限がデューティサイクル全域で維持されており，全入力電圧範囲でフルパワー動作が可能となっている。
同製品は，SO-8パッケージで供給され，1000個時の参考単価は570円。

松下産業機器
電子部品はんだ付け用のソフトリフロー装置を発表

松下産業機器は，松下電器産業の協力を得て，新工法での電子部品のはんだ付け用ソフトリフロー装置を発表した。
半導体レーザビームを熱源とし，ガルバノミラー駆動による高速スキャニング技術で局所加熱を実現している。はんだ接合部分のみを直接加熱することで，電子部品への熱ダメージのないリフローはんだ付けが可能。また，接合ポイントごとに熱容量を設定することができ，Pbフリーはんだへの対応が容易としている。さらに，省エネルギー，省スペース化によるランニングコストの低減，クリーンルーム内での設置が可能，ベアICとSMT部品の混載基板実装プロセスの一貫生産の実現といった特徴がある。
12月12日から幕張メッセで開催される「PROTEC JAPAN 2001」に出展予定で，02年4月から受注を開始する。

松下電器産業
マイクロフォーカスデジタル透視装置を発表

松下電器産業は，X線非破壊解析用マイクロフォーカスデジタル透視装置「ソフトビームMF-II」を発表した。
同製品は，高感度X線CCDの採用で4μmの分解能を実現している他，回転ユニットの装備により任意の角度の透視が可能となっている。
受注開始は01年12月5日から，月産20台を予定している。

12月10日

ARMとTSMC
ファンドリプログラムを拡大

ARMは，TSMCとのファンドリプログラムを拡大する。
TSMCは，ARMとの製造ライセンス提携の中で「ARM946E」と「ARM1022E」MPUコアのライセンスを新たに取得しており，今後，同社の0.18/0.13μmのコアロジックプロセスでARM946Eをサポートし，ARM1022Eコアを0.13μmの低電圧プロセスでサポートする予定。ARM1022EコアはARMv5TE命令セットを実装しており，信号処理アルゴリズムを高速化する16ビット固定小数点DSP命令を含んでいるほか，高コード密度を実現する16ビットThumb命令もサポートしている。
ARMは，これらコア･デザインキットを01年中に提供し，TSMCによるSi製造は02年初頭に開始する模様。

Fairchild Semiconductor
中国・江蘇省に新工場を建設

Fairchild Semiconductorは，中国・江蘇省に80万平方フィートの組立・テスト用の新工場を建設すると発表した。
工場設備の第一段階として，100万ドルの建設費を投入し，02年初めに着工を予定しており，12万平方フィートのバックエンド設備を持つ2階建ての新工場を予定している。その後，28万平方フィートの設備拡張を行い，最終段階として40万平方フィートの工場スペースの開発を行う。土地購入費を含んだ建設費用・機械設備費用の投資総額は02年から5年にわたり2億ドルを見込んでいる。
新工場では，ロジック，ディスクリート，アナログなどのパワーデバイスを中心に生産する。

Schlumbergerのウェーハ欠陥検査装置事業
01年11月26日付けでAMATに売却

Schlumbergerは，同社Semiconductor Solutions部門の電子ビームウェーハ欠陥検査装置事業を， 01年11月26日付けでApplied Materials（AMAT）に売却したと発表した。
Schlumberger の電子ビームウェーハ欠陥検査装置「Odyssey300」は，電子ビーム電位コントラスト法による欠陥検出の特許技術を応用して開発され，これまでディープサブミクロンICでの光学的に検出不可能であった欠陥を，独自の機能により検出することが可能になっている。

日清エンジニアリング
RFプラズマによる超微粒子製造技術を開発

日清エンジニアリングは，RFプラズマ法によるナノメートルサイズの超微粒子製造技術の開発に成功した。
RFプラズマ法は，高周波電磁波をガスに印加することにより発生する高温プラズマで，1万℃〜1万数千℃ほどの高温場に特殊な方法で原料物質を投入することで物質は瞬時に加熱され気化され，気化した物質が高温場から離れると急速に冷却され固化するというもの。
この乾式プロセスにより，色々な物質を超微粒子にすることが可能になる他，同プラズマ発生法は無電極のため，生成された超微粒子に不純物の混入が非常に少ないとしている。

大日本スクリーンとIMEC研究所
ウルトラクリーン洗浄技術を共同開発

大日本スクリーンは，IMEC研究所が推進するウルトラクリーン・プロセッシング(UCP)に関する産業提携プログラムに参加すると発表した。
同プログラムは，4〜5年後に需要が見込まれる洗浄技術を共同開発するもので，半導体デバイス製造における超微細化・新材料利用・環境配慮などに対応したもの。この提携により，大日本スクリーンは新型枚葉式ウェーハ洗浄装置「スピンプロセッサMP-2000」をIMECに設置するとともに，同社の研究員をIMECに派遣するとしている。

富士通が半導体チップの薄化加工技術を開発
薬液を不使用で従来比1/4の25μｍまで薄化

▲新開発の半導体Siチップの薄化加工技術

富士通は，薬液を使用せずに半導体Siチップの厚さを従来比1/4の25μmまで薄くする薄化加工技術を開発した。
チップの回路面を均一に固定するためのウェーハサポート治具の形状，材質，工法を新たに開発した他，ウェーハサポート工法技術の採用とピックアップ方式の最適化を行っている。ウェーハサポート工法技術は，ウェーハの裏面研削を行うとき，研削するウェーハをサポート治具に固定し，裏面研削中に発生する反りを矯正して薄化を行う。これにより，既存設備へ治具を追加するだけとなり，コスト削減に寄与している。その他，ダイジング後のチップ取り出し時のピックアップ方式を最適化することにより，半導体チップを段階的に保護テープから剥離し，チップへのダメージを抑制している。
これまで，薬液を使用せずに100μm以下に研削すると，残留圧力や研削かすにより，ウェーハのひび割れが生じていた。また，薬液を使用した場合も，チップ加工期間の長期化，設備費用の増加，環境への影響が課題となっていた。

富士通が半導体チップの構造解析ツールを開発
ボクセル技術が適用でき，試作品の作成が不要

▲LSI多層配線の静的応力解析

富士通と富士通長野システムエンジニアリングは，半導体チップの構造解析ツールを開発した。
同ツールは構造解析システム「VOXELCON V4」のオプションで，多層配線の形状入力ソフトウェア」「操作方法の教育」で構成されている。VOXELCON V4は，ボクセル技術を用いて構造解析を行い，人間の骨や自動車部品などの複雑な3次元形状物の構造解析に利用されている。VOXELCON V4と今回開発した同ツールを使用することにより，ボクセル技術を半導体チップの構造分析に適用でき，試作品を作成せずに半導体内部の強度や温度分布，振動状態の解析が可能になる。
また，富士通研究所と共同開発した構造解析用のテンプレートを使用しており，従来比約1/9の期間で構造解析が可能になっている。VOXELCON V4と同ツールの基本セット価格は400万円で，現在発売中。今後，3年間で50セットを販売する計画である。

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