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8月31日
Samsungなど4社
45nm低電力プロセス技術のシリコン回路を共同開発Samsung Electronics，IBM，Infineon TechnologiesおよびChartered Semiconductor Manufacturingの4社は，45nmの低電力プロセス技術をベースにした，シリコンファンクション回路およびデザインキットを共同開発した。同回路は，次世代の通信機器をターゲットとしており，IBMのニューヨークにある300mmウェーハ対応工場で製造された。また回路ブロックは，Infineonから提供されたライブラリセルやI/Oエレメンツなどから構成されている。
なお，同技術は07年末までにChartered，IBM，Samsungの300mmウェーハ対応工場で認定作業が行われる予定である。ルネサス，九州地区で後工程の生産能力を増強
生産子会社の熊本工場内に新棟を建設し福岡工場を集約ルネサス テクノロジは，九州地区においてマイコン，ミクスドシグナルおよびディスクリートなどの組立・テストの後工程を担当する100％出資の子会社であるルネサス九州セミコンダクタ（九セミ）の熊本工場内に新棟を建設する。また，九セミの福岡工場を熊本工場に集約することで，生産能力の増強と効率化を図る。ルネサスでは，海外の大規模後工程ラインによるコスト力強化と，より高機能で厳しい納期要求に応えるための国内拠点の強化を同時に進めている。今回，このような基本戦略の下，九セミの熊本工場内に，06年12月竣工予定の新生産ラインを建設し，組立と検査を一貫した高効率ラインにより，短納期で製品を生産していくこととなった。
QimondaとWinbond，契約を拡張
80nmプロセス採用のDRAMを共同で生産QimondaとWinbond Electronicsは，80nmプロセス採用のDRAMを共同で生産する契約を締結した。同契約によると，QimondaはDRAM用の80nmプロセスのトレンチ技術をWinbondの台湾（台中市）にある300mmウェーハ対応工場に移管し，代わりに，Winbondはコンピューティング機器向けDRAMをQimondaに優先的に供給するというもの。なお，同契約は両社の間で02年5月と04年8月に締結された，110/90nmプロセス採用DRAMに関する契約を拡張させたものである。
Norstel，SiCウェーハ工場が開業
最先端の加工機器などを装備スウェーデンのNorstelは，シリコンカーバイド（SiC）ウェーハ工場が正式に操業を開始したことを発表した。新工場は床面積が2000m2で，最先端の加工機器などが装備されている。同社は05年2月にSiウェーハ・メーカーのOkmetic Oyjから分離独立して設立された。SiCウェーハ，エピタキシャル層など，幅広いバンドギャップの半導体材料を製造，開発している。
8月30日
ルネサス，EDAツールなどの設計開発環境を強化
ベトナム設計会社に自社ビルを建設ルネサス テクノロジは，システムLSIの設計・開発力を拡充するために，ベトナムの設計会社Renesas Viet Nam（RVC）の自社ビルの建設着工を開始した。07年7月末に建設を完了し，同年9月より新ビルにて業務を開始する。RVCは，多機能システムLSIの設計，開発力を強化するために04年10月に設立された。今後の事業拡大に伴い，開発・設計能力の増強，効率向上，設計環境の充実を目的として自社ビルを建設する。新ビルは，エンジニア約500名を収容可能な総床面積約1万m2の4階建で，サーバ，EDAツールなどの設計開発環境も強化。また将来，さらなる事業拡大に対応すべく新たなビルを建設するための敷地も有している。
〈RVCおよび新社屋の概要〉
会社名：Renesas Design Viet Nam
代表者：President＆CEO 佐藤恒夫
設立：04年10月5日
資本金：1020万ドル（ルネサス テクノロジ100％出資）
事業内容：ハードウェア設計，ソフトウェア設計，論理検証，評価，設計付帯業務などのシステムLSI設計業務全般
従業員数：約100名（06年8月現在）ASET，大利根研究センターの開所式を開催
マスクの低コスト化・製造時間短縮を目指す超先端電子技術開発機構（ASET）は，06年8月29日，「マスク設計・描画・検査総合最適化技術開発」プロジェクトをスタートし，同プロジェクトを推進する研究センターの一つである「大利根研究センター」の開所式を開催した。
同センターはアドバンテストの大利根R＆Dセンター内に設置され，ASETはマスクの低コスト化と製造時間短縮を目指したマスク設計・描画・検査総合最適化技術の開発を開始した。同開発では，マスクコストの8割以上を占めるマスクパターンの設計，描画および検査の3工程間の連携強化を図り，マスク製造を総合的に効率化するための基盤技術開発を行う。具体的には，(1)各工程に共通的なマスクデータ処理技術，(2)繰り返しパターンを利用した描画・検査高速化技術，(3)パターン重要度を利用した描画・検査合理化と高速化技術，(4)並列化を利用した描画・検査高速化技術などの開発を行う。
なお，同開発は新エネルギー・産業技術総合開発機構の委託により行うものであり，期間は4年間で約36億円の予算を見込んでいる。凸版，エルピーダとの協力関係を延長
半導体フォトマスク製造および共同開発凸版印刷は，エルピーダメモリとの半導体用フォトマスクの製造委託および，フォトマスクに関する技術の共同開発などに関する提携関係を継続することで合意した。同合意により，凸版は今後もエルピーダと先端フォトマスクの研究を続ける他，エルピーダに対してフォトマスクの提供を行うこととなる。
SEMI，07年に熊本で教育プログラムを開催
次代を担う高校生に半導体産業への関心を喚起Semiconductor Equipment and Materials International（SEMI）は，07年3月に熊本県において教育プログラム「ハイテク・ユニバーシティ」を開催することを発表した。同プログラムは，次代を担う高校生に半導体産業への関心を深めてもらうことを目的に，SEMIが01年より開始したものである。これまでに米国を中心に46回開催しており，日本では今回が第1回目の開催となる。同プログラムには，電子デバイスや半導体製造工程についての講義や実習，半導体関連企業・工場の見学，半導体業界の仕事，また半導体業界に進むための進路についての講義なども含まれている。
三菱ガス化学，高耐熱性無色透明フィルムを本格展開
ロールフィルム設備の導入を決定三菱ガス化学は，電子デバイス向け高耐熱性無色透明ポリイミドフィルム「ネオプリム」の市場展開を本格的に行うことを発表，同社平塚研究所（神奈川県平塚市）内にセミコマーシャル規模のロールフィルム製造設備（生産能力：月産5000m2）を導入する。これまで同社は，平塚研究所において同フィルムの技術開発と小規模試作を行っており，主に電子デバイスメーカーを対象としてサンプルワークを行っていたが，透明性，耐熱性などの特性に対する評価が非常に高く，長尺ロールフィルム形状での供給に対する要望も出てきたことから，ロールフィルム設備の導入を決定した。代表的なグレードである「ネオプリムL-3530」は，全光線透過率90％を維持しつつガラス転移温度315度を実現するなど，極めて高い耐熱性を有しており，デバイス製造工程において従来のプラスチックフィルムでは不可能であった高温のプロセスを採用することが可能となっている。同設備の完工は07年6月を予定，11年度をメドに本格的な事業化を行っていく。
Intel，サーバ向けデュアルコアプロセッサを発売
最大32プロセッサまで拡張可能Intelは，マルチプロセッサ・サーバ向けに，8種類のデュアルコアプロセッサ「Xeon 7100番台」を発売した。従来の「Xeon MP」に比べ，最大2倍の性能向上と約3倍の消費電力当たりの性能向上を実現している。同製品は，65nmプロセス技術で製造され，上位製品では13億個以上のトランジスタと16MバイトのL3キャッシュを内蔵している。また，最大で32個のプロセッサ構成が可能である他，同社のバーチャライゼーション・テクノロジが導入されている。なお，価格は，9万9000円（2.5GHz 4MバイトL3）〜22万9000円（3.4GHz 16MバイトL3）である。
8月29日
AMAT，日本法人の新社長に渡辺徹氏が就任
同時に3人のアカウント事業部長が執行役員から取締役にApplied Materials（AMAT）は，前社長の逝去により空席となっていた日本法人の新社長に渡辺徹氏が就任，同時に3人のアカウント事業部長が執行役員から取締役に就任することを発表した。渡辺氏は，京都大学卒業後，東芝に入社。02年にAMATの米本社に入社し，メイダンテクノロジーセンターで最高責任者として65nmプロセス以降の微細加工製造技術開発を担当。05年から同センターグループのゼネラルマネージャとして新装置の45〜32nmプロセスへの適用実証を推進してきた。
産総研，ダイヤモンド半導体で紫外線発光に成功
間接遷移型半導体で内部量子効率10％以上を実現産業技術総合研究所（産総研）と科学技術振興機構（JST）は共同で，波長250nmの深紫外線を放射可能なダイヤモンドのダイオードを開発した。同ダイオードは，n型ダイヤモンドとp型ダイヤモンドの間に純粋ダイヤモンド活性層（i型ダイヤモンド半導体層）を挿入している。また，N2を添加した市販の高抵抗ダイヤモンド基板上にp＋型ダイヤモンド半導体層をマイクロ波プラズマCVDで合成するなど，動作部分すべてをマイクロ波プラズマCVDで作製している。同ダイオードは間接遷移型半導体として内部量子効率10％以上を実現している他，200℃以上の温度でも動作が可能なため，高温環境下でも深紫外線の放射が可能である。なお産総研とJSTでは今後，発光機構のさらなる解明と，高効率な実用デバイスの実現に向け，プロセスや構造の検討を行い，早期にLEDとしての可能性を明確にしていく予定としている。
CadenceのEDAツール，東芝の65nm設計フローに採用
Si精度の高い寄生容量抽出と処理時間の短縮を実現Cadence Design Systemsは，東芝が65nmプロセス設計フローにCadenceの次世代プロセス向けEDAツール「Cadence QRC Extraction」を採用したと発表した。同ツールは，センシティビティベースおよびCMPモデルベースの抽出を含むSi精度の高い寄生容量抽出を行うことができる。また，ネットワーク上の複数のCPUやコンピュータファームを用いて，処理時間を短縮することが可能である。なお，同ツールは設計の複雑度に応じてL，XLおよびGXLにセグメント化されて提供されている。
NS，高精度温度センサ製品ファミリを拡充
TruThermサーマル・マネジメント技術を採用National Semiconductor（NS）は，高精度のリモート・ダイオード温度センサ・ファミリを発表した。同ファミリは，トランジスタ・モードのベータ補償機能を備えたTruThermサーマル・マネジメント技術を採用。65nmや90nmプロセスを採用した高性能マイクロプロセッサを搭載したノートPC，デスクトップPC，サーバなどのアプリケーション専用に開発されている。
Philips，地上波デジタルTV受信用デモジュレータを発表
低消費電力実現でSTBが必要とする電力を削減Royal Philips Electronicsは，DVB-T/Hチャネルデコーダ「TDA10048HN」を発表した。同製品は，COFDMデモジュレータ（復調器）としても機能し，160mWという低消費電力を実現し，STBが必要とする電力を削減するとともにバッテリを利用するアプリケーションの稼働時間を大幅に延ばすことができる。また，Nordig統一仕様およびD-Book仕様を含め欧州の各種復調規格へ完全に準拠している。7×7mm48ピンHVQFNケーシングにパッケージ化されており，大量生産は06年第3四半期を予定している。
8月28日
SEAJ，06年7月の受注・販売統計を発表
日本製装置の受注高は前年同月比25.9％増日本半導体製造装置協会（SEAJ）は，06年7月の半導体製造装置受注・販売統計を発表した。同発表によると，日本製装置の受注高は前年同月比25.9％増の1481億7400万円，販売高は同27.4％増の1442億4600万円となった。また，日本市場における受注高は同97.9％増の978億7600万円，販売高は同22.3％増の961億6600万円となった。
CKD，春日井事業所に半導体関連製品向け工場を増設
06年の生産設備投資額は前年比4倍の100億円CKDは，春日井事業所内に半導体関連製品の加工・組み立てを行う新工場を増設すると発表した。竣工は07年2月下旬の予定で，今後同社は，春日井事業所を半導体関連製品の生産を行う主力工場と位置付け，売上高1000億円という中期計画の達成を目指す。なお同社は，本社工場と四日市事業所内において，06年12月上旬に竣工予定の工場増設を進めており，今回の増設を合わせると06年の設備投資額は，05年の約4倍となる100億円に達する。
〈春日井事業所内新工場の概要〉
延べ床面積：6550m2，鉄骨造りの3階建て（1階は加工工場，2・3階は組立工場（クリーンルーム，防塵室などを設置））
投資額：約31億円（新工場の建設費，付帯設備費，加工機，組立機などを含む）
着工予定：06年9月上旬
竣工予定：07年2月下旬出光，アダマンタン製造設備を建設
環境負荷の少ない製造プロセスを採用出光興産は，ArFフォトレジストの原料となるアダマンタンの製造設備を徳山工場内に建設すると発表した。現在アダマンタンは，塩化アルミ法により中国の中小メーカーのみが生産している。しかし，同方法では処理が困難な塩化アルミとタールの混合廃棄物が発生するため，今後環境規制が厳しくなると供給面で問題が生じるおそれがある。そこで，同社では，アダマンタンの安定供給のため，独自に開発した環境負荷の少ないゼオライト触媒法により自社で製造することを決定した。着工は07年1月，同年9月に完工，08年1月からの商業運転を予定している。なお，同設備への投資は13億円を予定しており，これにより同社では，10年の同事業における売り上げを40〜50億円と見込んでいる。
〈新設備の概要〉
生産能力：年300t
プロセス：ゼオライト触媒法
建設場所：徳山工場内（山口県周南市）
投資額：13億円
着工予定：07年1月
完工予定：07年9月
商業運転開始予定：08年1月
8月25日
産総研，光を使った高性能薄膜の製造技術を確立
真空プロセスに比べ成膜コストを1/10以下に低減産業技術総合研究所（産総研）は，日本製鋼所と共同で，溶液プロセスと光（レーザ光）照射とを融合させて高性能薄膜の低コスト・高速製造技術を確立した。太陽電池，ディスプレイ，センサ，キャパシタなどのデバイスには金属酸化物薄膜が多く用いられており，これら機能性薄膜は主に，高コストな真空環境を必要とするプロセスにより製造されている。一方，真空を必要としない溶液プロセスは，大気中で作製可能なため低コスト化が期待できるが，このプロセスで作製した薄膜では，十分な性能が得られていなかった。
今回，産総研が開発した溶液プロセスの一つである塗布熱分解法を用いた酸化物超電導体（YBa2Cu3O7：YBCO）を作製する技術に日本製鋼所のエキシマレーザアニーリング技術を融合させることで特性の改善と製造プロセスの効率化を図ることに成功した。
この新しいプロセスにより，成膜速度が従来の溶液プロセスに比べ約5倍に高速化されるとともに，超電導薄膜の重要な性能指標である臨海電流密度が世界最高レベルの600万A/cm2以上に達するエピタキシャル薄膜の作製に成功した。この値は，真空プロセスで作製した超電導薄膜と同等以上の性能となっている。また，マスクを用いた同時パターニングや基板を移動させながらの連続成膜により，薄膜デバイスや長尺テープなどの低コスト大量製造に寄与し，真空プロセスに比べ成膜コストを1/10以下に低減できる。NECEL，車載向け画像認識用並列プロセッサを発表
トヨタ自動車がレクサスブランドに採用NECエレクトロニクス（NECEL）は，トヨタ自動車およびデンソーと共同で製品化した，車載向け画像認識用並列プロセッサ「IMAPCAR」の発売に関する記者会見を開催した。同製品の主な特徴は，(1)128個の演算ユニットで並列処理を行うことにより，現在市場で販売されている画像認識LSIに比べて約5倍高性能な100GOPS（1GOPSは毎秒10億回の演算を実行）を実現でき，白線，先行車，歩行者などの画像をリアルタイムに認識できること，(2)画像認識機能の全てをソフトウェアで構成したことにより，機能の追加や変更を容易に行えること，(3)車載向けでは先端となる0.13μmの製造プロセスを採用したことにより，車載用途に適した2W以下の低消費電力を実現したこと，などである。
なお，同製品はトヨタ自動車から06年秋発売予定のレクサスブランドの新型車に設定される「プリクラッシュセーフティ機能」を実現する画像認識LSIとして採用された。同会見に出席したトヨタ自動車の藤田浩一氏は，IMAPCARを採用した理由として，高速で処理できること，プログラミングが容易にできることなどを挙げた。三菱マテ，車載用デバイス向けボンディング用金線を開発
デバイスの狭ピッチ化，細線化にも対応三菱マテリアルは，デバイス結線部のボンディング用金線とアルミ電極の接合信頼性を向上した車載用デバイス向けボンディング用金線「TOUGHBONDシリーズ」を開発した。同製品は，接合部の劣化を遅らせることにより，電気抵抗の上昇を抑えている他，ボンディング時のボールを従来に比べ柔らかくすることにより，low-k膜品にも適用可能となっている。また，汎用の4N（99.99％Au）金線と同等のボンディング条件で使用可能で，最先端の狭ピッチデバイスや従来半導体デバイスのワイヤ細線化にも有効である。なお，線径は15μm以上，金純度は3N（99.9％Au），2N5（99.5％Au），2N（99％Au）の3種類を用意している。同社は国内外の半導体デバイスメーカー，アセンブリメーカーに同製品の供給を開始しており，2年後をメドに年間20億円の売上高を見込んでいる。
レーザーテック，06年6月期の連結決算を発表
売上高は前年同期比20.7％増の120億3300万円レーザーテックは，06年6月期（05年7月〜06年6月）の連結決算を発表した。売上高は前年同期比20.7％増の120億3300万円，営業利益は同55.0％増の29億6300万円，純利益は56.5％増の18億8400万円となった。売上高の主な内訳は，半導体関連装置が同33.4％増の36億100万円，FPD関連装置が同20.9％増の68億2500万円，レーザ顕微鏡が同14.4％減の6億1900万円となった。同社は，さらなる増収増益を目指すために，半導体関連装置における新しい顧客ニーズの開拓や新製品の開発，FPD関連装置でのコストダウンと新技術の導入による製品の差別化や検収期間の短縮を図るとしている。なお，07年6月期の見通しについて，売上高が同33.0％増の160億円，純利益が同18.3％増の22億3000万円と見込んでいる。
協立電機，06年6月期の決算を発表
売上高は前年同期比9.0％増の254億2000万円協立電機は，06年6月期（05年7月〜06年6月）の決算を発表した。売上高は前年同期比9.0％増の254億2000万円，営業利益は同20.3％増の7億1800万円，純利益は同23.0％増の4億2300万円となった。新製品投入の効果が表れてきたことや，M＆Aにより子会社化した会社の売り上げが順調に伸びていることなどにより増収増益となった。事業別の売上高は，インテリジェントFAシステム事業が同1.0％減の8億5900万円，IT制御・科学測定事業が同15.0％増の168億700万円，その他が2200万円となった。同社では注力している半導体基板検査システム分野に対し，同システムの製造および販売を行う協立テストシステムにおいて，06年12月をメドに新工場を稼動させ，事業の強化を進める計画である。なお同社では，07年6月期の売上高を270億円と見込んでいる。
8月24日
ジャパン・エア・ガシズ，東芝と解析サービスで協業
半導体やLCDなどの解析評価サービス会社を共同経営ジャパン・エア・ガシズと東芝は，半導体やLCDなどのエレクトロニクス産業やその他の先端産業における製品や材料の分析および解析評価サービスを提供する事業において協業することで基本合意に達した。具体的には，06年11月をメドに，現在当該事業を行っている東芝の100％出資会社である東芝ナノアナリシスの出資比率をジャパン・エア・ガシズが51％，東芝が49％に変更し，両社は分析サービス事業の共同経営を開始する予定である。
〈東芝ナノアナリシスの概要〉
名称：東芝ナノアナリシス
資本金：1億5000万円
本社所在地：神奈川県川崎市
その他拠点：横浜，大分，四日市，北九州，姫路，深谷
従業員数：約250名
業務内容：半導体/電子部品/金属/セラミックス/LCD/材料分野における物理/化学/管理分析および評価，水質/大気/土壌/産業廃棄物などを含む環境分析/作業環境測定/衛生検査および評価AMD，上海にR＆Dセンターを設立
数百万ドルを投資AMDは，数百万ドルを投資し，上海にR＆Dセンター「Shanghai Research and Development Center（SRDC）」を設立したことを発表した。同センターでは，同社の次世代モバイルプラットフォームの開発と，現在から将来にわたる広い範囲で同社マイクロプロセッサの評価，テストを行っていくとしている。
日立キャピタルとエイペックス，業務提携を発表
中古半導体製造装置の売買ビジネスの拡大を図る日立キャピタルとエイペックスは，中古半導体製造装置の売買ビジネスにおいて業務提携を行ったことを発表した。両社は，（1）日立キャピタルのリース満了製造装置，（2）日立キャピタルが取り引き先から仕入れた製造装置，（3）エイペックスが仕入れた製造装置，について協力して仕入れ販売を行う。なお，再生・改造が必要な場合は，エイペックスが作業を行う。
今回の提携により，日立キャピタルは自社で保有する製造装置の再生・改造を行うことにより付加価値を高めた販売を推進することができ，またエイペックスも戦略的に優良な資産の確保とともに再生・改造など技術サービス分野の売り上げの拡大を図ることができる。NS，07年度第1四半期売り上げ見通しを下方修正
同四半期の売上高は直前期比約6％減少の見通しNational Semiconductor（NS）は，07年度第1四半期（06年6月〜8月）の売り上げ見通しを下方修正した。同社が期初に発表した見通しでは，07年度第1四半期の売上高は直前期（06年3月〜5月）の5億7260万ドルから2〜3％減と予想していたが，約6％減になる見通しだという。下方修正を行った主な要因は，以前に売却したコードレスおよびPCスーパーI/Oビジネスユニットからのファウンドリ収入の減少分が，当初の想定通り約2％の他，ワイヤレスハンドセットのカスタマへの出荷が予想を下回った分が約2％，季節的要因による出荷低下分が約2％となっている。なお同社は，粗利益率に関する期初の予想は変更しておらず，直前期の実績である61.4％とほぼ同じになると見込んでいる。
産総研，広い濃度範囲の水素漏れ検知センサを開発
0.5ppmから5％まで検知可能産業技術総合研究所（産総研）は，空気中の水素濃度を0.5ppmから5％まで広範囲で検知するマイクロ熱電式水素センサを開発した。同センサは，電力消費が少なく，Siチップへの集積化が可能なため，水素ステーションを始めとする水素関連施設などへの応用が期待される。MEMSは，機械要素部品，センサ，電子回路などを一つのSi基板上に集積化したものであるが，その基盤技術として立体形状自由加工技術（立体構造上へのパターン形成技術）が重要な技術課題である。今回の研究では，セラミックス担持白金触媒を熱電変換MEMSデバイスの上にパターン形成する技術を開発することによって，触媒性能をより発揮でき，高感度で耐久性のあるマイクロ熱電式水素センサを作製することができた。
日立，GaInNAs半導体レーザの40Gビット/秒動作に成功
直接変調方式で低消費電力，高速動作の小型送信器が可能日立製作所中央研究所は，ビル内や構内に設置されているルータ（データ転送装置）や伝送装置の間をつなぐIP（インターネット・プロトコル）光通信ネットワーク向けに，GaInNAs（ガリウム・インジウム・窒素・砒素）を活性層に用いた半導体レーザ素子を試作し，外部変調器を用いない直接変調方式で40Gビット/秒の高速動作に成功した。今回，GaInNAsに適した新しい結晶成長技術を確立したことにより，光通信に用いられる長波長帯（1.29μm）での発振において，低しきい電流（4.4mA）での40Gビット/秒の動作を実現。超高速での直接変調が可能であり，次世代大容量ルータや伝送装置の光送信モジュールのレーザ素子として期待されている。
インフロー，プリント基板通販サイトのサービスを拡張
6層･8層基板の設計･製造･実装，すべての受注を開始インフローは，プリント基板通販サイト「P板.com」内において，6層・8層の基板設計に対応したパターン設計CADソフト「CADLUS XII」の無料配布と，6層・8層の基板の設計サービスを開始する。同サービス開始により「P板.com」は，6層・8層の基板のソフトの無料配布，設計，製造，実装のすべてに対応することとなる。なお同社では，07年3月期中の目標をユーザー登録数1万人，売上高7億7000万円としている。