意識調査

リセッションを脱し,市場回復はいつ?

Photograph

 -----------------------
エコプロダクツ2008
SEMICON Japan 2008
FPD International 2008
LEDジャパン2008
CEATEC JAPAN 2008
VACUUM2008 - 真空展
PVJapan 2008
マイクロマシン/MEMS展
JPCA Show 2008
人とくるまのテクノロジー展
組込みシステム開発技術展
ファインテック・ジャパン
Display2008
PV EXPO 2008/FC EXPO 2008
nano tech 2008
インターネプコン
シャープと東芝が提携
日立,キヤノン,松下,提携

今月のニュース

過去のニュース一覧

CHINA

スペシャル企画

連載

特別調査レポート

セミナー報告

統計データ

イベント・展示会情報

新製品

大気圧プラズマ表面改質装置(ウェル)

▲大気圧プラズマ表面改質装置(ウェル)
 -----------------------
蛍光X線金属成分分析装置
高負荷ボールねじ
真空排気用ソフバックフィルタ
フーリエ変換赤外分光光度計
蝶番
抵抗測定/PN判定器
三次元表面形状測装置
ナノ加工顕微鏡システム
ダブルダイアフラムポンプ

半導体用語集

CMOS
液浸リソグラフィ
カーボンナノチューブ
システムLSI
ナノテクノロジ
鉛フリーはんだ
半導体
マイクロマシン
有機EL

サイトマップ

SJNについて

メールマガジン登録

プレスジャーナルのHPへ

プライバシーポリシー

ニュース

半導体

RSS
5月22日

SEMI,世界半導体製造装置統計を発表
07年第1四半期の出荷額は107億5000万ドル

Semiconductor Equipment and Materials International(SEMI)は,07年第1四半期の世界半導体製造装置出荷額を発表した。同発表によると,出荷額は前期比4.0%増,前年同期比12.2%増の107億5000万ドルとなった。出荷額を地域別にみると,欧州が7億8000万ドル,中国が6億5000万ドル,日本が22億7000万ドル,北米が17億9000万ドル,韓国が24億7000万ドル,台湾が20億1000万ドル,その他が7億9000万ドルと,韓国がトップに立った。SEMIのプレジデント兼CEOであるStanley Myers氏によると,「07年第1四半期の出荷額は,韓国の力強い成長もあり,06年第4四半期を若干上回った。前年同期比は市場によりかなり差があり,中国,韓国,台湾では大幅な2桁成長を示した」と述べている。

CadenceのCPF,STARCが採用
低消費電力フローを開発

Cadence Design Systemsは,半導体理工学研究センター(Semiconductor Technology Academic Research Center:STARC)が,低消費電力設計向けリファレンスフロー「PRIDE」のバージョン1.5の開発にCadenceのCommon Power Format(CPF)を採用したと発表した。STARCは,CadenceのCadence Logic Design Team Solution,Incisiveの先進的な検証およびEncounterのデジタル・インプリメンテーションのテクノロジーを使用した消費電力設計フローを,07年10月にメンバー企業に対して公開する。STARCは先般,評価用設計データを使用してCPFベースの低消費電力フローの実現可能性を調査し,これを実証した。
なおSTARCでは,メンバー企業が同フローの採用により,設計の初期段階で低消費電力アーキテクチャのトレードオフ解析を実行し,設計の再利用性を大幅に向上させることで,設計期間を50%短縮することが可能になると期待している。

OSRAM,独工場を増築
同時にマレーシアに新工場を建設へ

OSRAMは,数千万ユーロを投じた独レーゲンスブルグ工場の増築が07年末までに完了することを発表した。また,マレーシア・ペナンの工場の生産能力を拡大させる他,ウェーハ製造工場を建設することを併せて発表した。新工場は数千万ユーロが投資され,08年からLED素子の生産を予定している。新工場ならびに既存工場の拡張が完了した場合,同社の生産能力は従来比で50%向上する。

NECEL,HDD搭載STB用システムLSIを発売
CPU処理性能を大幅向上

NECエレクトロニクス(NECEL)は,HDDを搭載したSTB用システムLSI「EMMA2SE」を開発,サンプル出荷を開始した。同製品は,デジタル放送を受信・記録・再生するために必要な機能一式を1チップに集積した画像処理用システムLSIで,CPUの性能を同社従来品から40%向上となる284MIPSへ高速化させている。また,外部メモリ容量を1Gビットまで接続可能としている。
一方同社は,EMMA2SEに不正防止機能を内蔵した「EMMA2SE/P」のサンプル出荷も07年6月から開始する。サンプル価格は,EMMA2SEが3000円/個,EMMA2SE/Pが3500円/個となっており,量産規模としては,いずれも07年内に量産を開始し,08年度に月産30万個を計画している。

5月21日

ルネサス,新CPU開発に着手
事業の強化と拡大を図る

ルネサス テクノロジは,マイコンの強化のため,新CPU開発に着手したことを発表した。同社既存の16および32ビットCISCマイコンに搭載されている四つのCPUの展開版である16ビットと32ビットの次世代CISC CPUを開発する。既存の16および32ビットCISCに比べ,プログラムサイズを約30%削減し,CPU消費電力を約50%低減する予定。なお,新CPU搭載製品は09年第2四半期(4月〜6月)の製品化を予定している。同社は,今回の新CPU開発により,競争力を強化した製品を提供することで事業強化と事業拡大を図る。

東北大学,Siウェーハ加工変質層の完全修復に成功
Siウェーハの大口径化や高品質製造への道を開く

東北大学大学院工学研究科ナノメカニクス専攻の閻紀旺准教授,厨川常元教授の研究グループは,特定条件でのナノ秒パルスレーザ照射を用いて単結晶Si加工物表面のアモルファス層の単結晶化および転位の完全消滅を同時に進行させることにより,加工変質層の完全修復に成功した。同手法は,無欠陥の単結晶表面の生成を可能にするもの。また,部品形状精度の劣化や環境汚染負荷なく,加工ダメージの完全除去が可能であることが明らかとなった。同成果は,大口径Siウェーハやその他の半導体基板の高品質製造へ大きく貢献するものとして期待される。

Freescale,07年第1四半期業績を発表
売上高は前年同期比10.8%減の13億6100万ドル

Freescale Semiconductorは,07年第1四半期の業績を発表した。売上高は前年同期比10.8%減の13億6100万ドル,また,金利,税金,償却前利益(EBITDA)は同24.5%減の3億3500万ドルとなった。売上高の減少は,ワイヤレスおよびモバイル・ソリューション部門の売上減の影響を受けたもので,同部門の売上減は,同部門最大の顧客からの受注減に起因している。なお,各部門の売上高は,車載用製品および標準製品部門が同1.8%増の6億6500万ドル,ワイヤレスおよびモバイルソリューション部門が同28.1%減の3億6400万ドル,ネットワーキングおよびコンピューティングシステム部門が同8.8%減の3億2000万ドルとなった。

浜松ホトニクス,07年9月期の中間決算を発表
純利益は前年同期比31.4%増の68億3600万円に

浜松ホトニクスは07年9月期の中間決算(連結)を発表した。売上高は前年同期比11.7%増の484億3500万円,経常利益は同21.1%増の114億4900万円,純利益は同31.4%増の68億3600万円となった。セグメント別売上高は,光電子部品事業が同11.6%増の404億6500万円,計測機器事業が同12.1%増の79億300万円,その他事業が同0.2%増の3億4600万円。光電子部品事業の光半導体素子は,主力のSiフォトダイオードが引続き堅調に推移したほか,フォトICが自動車の車内ネットワーク通信向けのシェアを伸ばし,順調に売り上げを拡大した。計測機器事業では,半導体故障解析装置や高解像度病理デジタルスライド観察システムが売り上げを伸ばしたことから,営業利益が同31.1%増の14億6900万円となった。

5月18日

SEAJ,07年3月分の半導体製造装置販売統計を発表
総販売額は前年同月比8.5%増の46億2700万ドル

日本半導体製造装置協会(SEAJ)は,半導体製造装置販売の世界統計「Worldwide SEMS Report」における07年3月の確定値を発表した。全装置の総販売額は前年同月比8.5%増の46億2700万ドルと伸長した。装置別では,ウェーハ製造用装置が同19.7%増の2580万ドル,ウェーハプロセス用処理装置が同16.7%増の33億809万ドルと伸びが高かったが,検査用装置は同15.6%減の6億3200万ドルとなった。また,地域別では,中国が同98.9%増の2億5800万ドルと大幅に伸び,韓国が同20.7%増の10億4100万ドル,北米が同19.2%増の6億9300万ドルとなった。一方,日本は同10.5%減の9億9400万ドル,欧州が同17.2%減の3億4500万ドル,台湾が同14.4%減の8億9900万ドルとマイナス成長となった。

AMD,ノートPC向け次世代プラットフォームを公開
性能向上とバッテリ駆動時間の延長を実現する新機能

Advanced Micro Devices(AMD)は,ノートPC向け次世代プラットフォーム「Puma」を08年中旬に提供すると発表した。同プラットフォームは,65nmプロセスで製造される次世代ノートPC向けプロセッサ「Griffin」と,次世代チップセット「RS780」から構成される。
Griffinは,HyperTransportとメモリコントローラ,プロセッサコアに異なる電圧プレーンを用意。また,コアごとに動作周波数や供給電圧を動的に制御し,必要な時に必要なだけのパフォーマンスを発揮することが可能である。
一方,RS780は,NAND型フラッシュメモリやHyperFlashに対応。また,バッテリ駆動時間を延長するために,DC電源使用時に分離型のグラフィックカードから内蔵グラフィックス機能へ動的に切り替えるPowerXPress機能を新たに搭載している。

日亜化学,Seoul Semiconductorの日本法人を提訴
特許権に基づく侵害の差し止めおよび損害賠償請求

日亜化学工業は,韓国のSeoul Semiconductorの日本法人であるジャパンソウル半導体および販売代理店である協栄産業を被告として,日亜化学が保有する特許権に対する侵害の差し止めおよび損害賠償を求める訴訟を,大阪地方裁判所に提起した。日亜化学が差し止めおよび損害賠償の対象として主張している製品は,Seoul Semiconductorの「Z-Power LED P9」シリーズの白色LED製品で,このLEDが日亜化学の保有する特許権に抵触するものと判断し,同訴訟を提起した。なお,日亜化学はSeoul Semiconductorに対し,米国においても日亜化学の意匠権に基づくサイドビュー白色LEDの侵害差し止めおよび損害賠償を求める訴訟を継続中である。

松下,薄型で高耐熱性を有するMEMSマイクロホンを開発
ポータブル電子機器の薄型化に貢献

松下電器産業は,携帯電話をはじめとするポータブル電子機器用のMEMSマイクロホンを開発,07年5月末よりサンプル出荷を開始する。同マイクロホンは,MEMS技術を用いた音響トランスデューサ(MEMSチップ)とCMOSアンプにより構成されており,薄型でありながら,鉛フリーはんだリフロー実装の対応が可能な高耐熱性との両立を実現。ポータブル電子機器の薄型化に貢献する。また,音孔位置が基板面にある下音孔タイプのため,ポータブル電子機器の基板裏側に実装可能となっている。

5月17日

SpansionとTSMC,共同開発契約を締結
40nm世代以降でMirrorBitテクノロジーの適用を拡大

SpansionとTaiwan Semiconductor Manufacturing(TSMC)は,40nm世代以降のプロセスで各種MirrorBitテクノロジーの共同開発を開始する契約を締結した。同契約の下,Spansionは今後,共同開発による各種MirrorBitテクノロジーを活用し,新たな分野にこのテクノロジーの適用を拡大していくとした。
一方,TSMCは40nm世代以降のプロセスで量産実績を作るとともに,Spansionの先進的なフラッシュメモリ技術を量産する計画である。両社は,110nmと90nmのMirrorBitテクノロジーに関してすでに契約しており,TSMCでは06年第2四半期より110nmでSpansionフラッシュメモリ用ウェーハを生産してきた。なお,300mmウェーハによる90nm MirrorBitテクノロジーの量産立ち上げは,07年半ばを予定している。

STATS ChipPAC,R&D施設を設立
先進的なウェーハ組み立て技術を開発

STATS ChipPACは,シンガポールにR&D施設の設立を発表した。同施設では,三次元LSI向けのSi貫通電極(TSV)やマイクロバンプボンディング技術,またウェーハベースパッケージング技術などの次世代技術開発を進める。同施設には,10,100,10000クラスに対応した1万ft2以上のクリーンルームスペースと,今後の拡張に対応するための9000ft2のスペースがある。なお,リソグラフィ装置,プラズマエッチング装置,ウェーハボンディング装置などの導入が予定されている。

SPL,DSGとの提携を発表
日本における独占販売権取得を取得

半導体プロセス研究所(SPL)は,米DSGが開発したマイクロ波加熱装置「AXOM-200/300」の日本地域における独占的販売権を取得したことを発表した。また,同契約には,プロセス開発およびデバイスへの応用についての技術的パートナーシップが含まれている。同装置は,マイクロ波を用いることでウェーハの加熱を行う装置。バッチ式ながら急速昇降温特性を有しており,短時間での加熱が可能となっている。販売価格は1チャンバ機で110万ドル,2チャンバ機で180万ドルが予定されている。なお,SPLでは国内のカスタマに向け,年内に2台の受注を計画している。

ソニー,07年3月期の業績を発表
ゲーム分野向け半導体の売り上げが増加

ソニーは07年3月期の連結業績を発表した。売上高は前年比10.5%増の8兆2957億円,営業利益は同68.3%減の718億円,純利益は同2.2%増の1263億円であった。エレクトロニクス分野売上高は同16.9%増の6兆505億円。セグメント間取り引きについてゲーム分野向け半導体の売り上げが増加,また全地域でLCD-TV「BRAVIA」の販売が好調で増収となった。なお,半導体の売上高は同59.2%増の7800億円,液晶の売上高は同7.7%増の1400億円であった。

AMAT,07年度第2四半期の業績を発表
売上高は前年同期比12.5%増の25億3000万ドル

Applied Materials(AMAT)は,07年度第2四半期の業績を発表した。売上高は前年同期比12.5%増の25億3000万ドル,営業利益は同5.0%増の5億8900万ドル,純利益は同0.3%減の4億1100万ドルとなった。また今期の新規受注高は同6.4%増の26億5000万ドルとなり,地域別比率は,台湾30%,韓国15%,北米15%,東南アジアおよび中国15%,日本14%,欧州11%となった。なお,今期の決算には,すでに発表したビームラインイオン注入装置の開発終了に関連する費用と,Brooks Software買収関連費用が反映されている。

第10回 組込みシステム開発技術展が開催
ハード/ソフトウェアから開発環境までが一堂に集結

07年5月16日,東京ビッグサイトにおいて「第10回 組込みシステム開発技術展」がリード エグジビション ジャパンの主催で開催された。10回目となる同展示会には,組込みシステム開発に必要なハードウェア・ソフトウェア・コンポーネントから開発環境までが一堂に集まった。特に,目を引いたのがカーエレクトロニクス関連の出展が多かったことである。展示会場では,NECエレクトロニクスが自動車の予防安全システムの画像認識用並列プロセッサ「IMAPCAR」のデモンストレーションを公開していた他,Freescale Semiconductorがエアバッグ用加速度センサの応用事例などを紹介していた。
また,専門セミナーでは日産自動車 常務執行役員 篠原稔氏が基調講演を行い,カーエレクトロニクス技術として制御系と情報系を統合したシステムを進化させた「車間維持支援システム」などについて語った。さらに,会場内ではこの1年間で開発・設計されたLSI製品/技術の最優秀品目を表彰する「LSI・オブ・ザ・イヤー表彰式」が開催され,「デバイス部門」のグランプリはシャープの携帯機器向け地上デジタル放送受信用マルチメディア処理LSI「LR38888」,「設計環境/開発ツール部門」のグランプリはNECシステムテクノロジーのC言語でシステムLSIの設計・検証を行う統合環境「CyberWorkBench」が受賞した。
(写真はこちら

5月16日

SICAS,07年第1四半期の半導体生産能力統計を発表
MOS計の生産能力は前年同期比0.7%増

Semiconductor International Capacity Statistics(SICAS)は,07年第1四半期の世界半導体生産キャパシティを発表した。MOS計の生産能力(週単位,200mmウェーハ換算)は,前年同期比0.7%増の181万1800枚となった。プロセスノード別の生産能力は,0.7μm以上が同11.2%減の16万5000枚,0.4〜0.7μm未満が同7.4%減の17万5100枚,0.3〜0.4μm未満が同3.7%減の18万7200枚,0.2〜0.3μm未満が同3.0%増の10万5400枚,0.16〜0.2μm未満が同12.5%減の14万3200枚,0.12〜0.16μm未満が同1.5%減の29万3300枚,0.12μm未満が同55.3%増の74万2600枚となった。なおMOS計に占める300mmウェーハの生産能力は,300mmの実枚数で26万3700枚となっており,同70.2%増となった。
(過去のデータはこちら

SEMI,07年第1四半期のSiウェーハ出荷面積を発表
300mmウェーハの成長トレンドは変わらず

Semiconductor Equipment and Materials International(SEMI)は,07年第1四半期のSiウェーハ出荷面積を発表した。同四半期のSiウェーハ出荷面積は,前年同期比11.5%増の21億平方インチとなった。SEMI Silicon Manufacturers Group会長のVolker Braetsch氏は「第1四半期というのは従来から停滞傾向が見られる期だが,07年第1四半期も前期と比較してほとんど変化が見られなかった。さらに,サプライチェーン全般において在庫調整が続いていることが市場に影響を及ぼしている。しかしながら,300mmウェーハの成長トレンドには変わりはない。また,アジアがその勢いを堅持して他地域のマイナスを補っていることは,驚くには当たらない」と述べた。
なお,この実績で用いられている数値は,ウェーハメーカーよりエンドユーザーに出荷されたバージンテストウェーハを含む鏡面ウェーハ,エピウェーハ,ノンポリッシュドウェーハを集計したものである。

リンテック,伊奈テクノロジーセンターに新棟を建設
半導体関連装置の需要拡大に対応

リンテックは,各種装置の開発・製造拠点である伊奈テクノロジーセンターにおいて新棟を建設し,需要が急拡大している半導体関連装置の開発・製造体制を大幅に拡充した。同センターは,ウェーハの裏面研磨工程,切断工程などで使用される特殊粘着テープの貼付・剥離装置や,商品パッケージに自動でラベルを貼り付けするラベリングマシンなど,各種装置の開発・製造拠点である。同社は,ウェーハ裏面研磨装置とのインライン化も可能なマルチウェーハマウンタ「RAD-2700 F/12」を中心に半導体関連装置の需要が急拡大していることから,同センターの工棟増築によって新たな装置開発の効率化とスピードアップが実現するとしている。

〈新棟の概要〉
建築面積:1023m2
延床面積:4070m2
フロア構成:地上4階建て
総工費:約10億円
竣工:07年4月25日

TEL,会社分割によりRLSA事業部門の分社化を決定
高密度・低電子温度のプラズマ技術の開発体制を強化

東京エレクトロン(TEL)は,RLSA(Radial Line Slot Antenna)事業の開発体制の強化を目的として,当該事業の専門会社である東京エレクトロン技術研究所を07年6月11日に設立することを決定した。RLSAは,半導体ウェーハの大口径・高均一性,微細化加工に対応するため,特殊なアンテナを用いて高密度・低電子温度のプラズマを作る技術。新会社は,07年4月に稼働した宮城県仙台市の研究開発拠点および兵庫県尼崎市,山梨県韮崎市の研究開発拠点において事業を行う。

〈新会社の概要〉
名称:東京エレクトロン技術研究所
業務内容:半導体製造装置の開発・製造
設立:07年6月11日(予定)
所在地:宮城県仙台市
代表:松岡孝明
資本金:1億円
純資産:5億3300万円(予定)
総資産:5億4500万円(予定)
持ち株比率:東京エレクトロン(100%)

5月15日

NECEL,07年3月期の決算を発表
民生機器分野の売上増などにより増収

NECエレクトロニクス(NECEL)は,07年3月期の決算を発表した。同発表によると,売上高は前年同期比7.2%増の6922億8000万円,営業損益は前年同期356億8900万円の損失から285億5700万円の損失へ改善,純損益は前年同期981億9800万円の損失から415億円の損失へと改善した。収益改善の要因としては,主に携帯電話端末向けメモリやPC周辺機器向け半導体の売上減により,通信機器分野やPCおよび周辺機器分野の売り上げが減少したものの,新規のゲーム機向け半導体の出荷開始やデジタルTV向け半導体の売上増により,民生機器分野の売り上げが大きく増加したことに加えて,「オール・フラッシュ・マイコン」の拡販などにより多目的・多用途分野の売り上げも大きく増加したことによるものである。設備投資額は前年同期から228億3500万円増額の1058億6500万円,研究開発費は前年同期から108億7700万円増額の1317億5100万円となった。なお,08年3月期の業績では,売上高を6900億円と予想し,営業損益は黒字化達成を必達目標に置いた。

東京応化,07年3月期の業績を発表
4期連続の増収,5期連続の増益

東京応化工業は07年3月期の業績(連結)を発表した。売上高は前年比3.5%増の1019億5500万円と4期連続の増収となった。利益面では,経常利益が同4.7%増の116億7700万円,純利益が同0.1%増の66億6000万円で,いずれも5期連続の増益となった。事業別売上高は,材料事業が同3.4%増の830億3800万円,装置事業が同4.0%増の189億9100万円。材料事業のエレクトロニクス機能材料部門では,半導体用フォトレジストがエキシマレーザ用フォトレジストを中心に実績を伸ばした。

松下,無機材料によるイメージセンサを開発
紫外線照射による色あせがなく劣化のない画像を実現

松下電器産業は,無機材料によるイメージセンサ「ν Maicovicon」を開発,07年11月よりサンプル出荷を開始する。無機材料の粗密でレンズ効果を実現するデジタルマイクロレンズ技術と,無機材料の波長選択層により自在な色選択を実現するフォトニックカラーフィルタ技術により,屋外における20年相当の紫外線量を照射しても色あせることなく,劣化のない綺麗な画像を実現する。また,周辺部まで鮮明な画像が得られるため,超薄型カメラモジュール化が可能。さらに,1チップで可視光も赤外線も撮影でき,昼夜を問わず高感度の実現が可能となっている。

旭硝子と東京電波,耐光性の高い人工水晶材料を開発
光透過による劣化率は従来の1/5以下

旭硝子と東京電波は,半導体露光装置用レンズ材としてレーザ耐光性を大幅に改善した人工水晶材料の共同開発に成功した。今回共同開発した人工水晶は,光透過による劣化率を従来の1/5以下に抑えた材料で,半導体製造における材料交換頻度の削減によるコスト低減や半導体露光装置自体の品質,信頼性向上につながると期待される。開発では,東京電波が人工水晶の試作・製造を,旭硝子が研磨加工・評価を担当し,劣化の原因として人工水晶部材に含まれる数種類の不純物の含有量を一定値以下に低下させることにより,劣化率を従来の1/5以下に抑えることに成功した。今後は旭硝子が販売を担当し,リソグラフィ材料の新製品として,07年度中の発売を目指す。

IAR,ARM向けC/C++コンパイラ・デバッガを発表
ルネサスおよびNECEL向けデバッガもリリース

IAR Systemsは,ARM用アーキテクチャABI(EABI:Embedded Application Binary Interface)を採用したC/C++コンパイラ・デバッガ「IAR Embedded Workbench for ARM(EWARM)」を発表した。同ツールは,ソースコードにアクセスすることなく,EABI対応ツールチェーンやサードパーティ製コンポーネントライブラリを使用して開発されたコンポーネントを統合する機能を有している。また,RealViewおよびGNUによりサポートされており,ツールを意識することなくコンポーネントの取得が可能となる。さらに,コンポーネントベンダ側でも複数のコンパイラツールチェーンに対応する必要がなくなる。
また,併せて同社はルネサス テクノロジのマイクロコントローラ「R32C」に対応したC/C++コンパイラ・デバッガならびにNECエレクトロニクス(NECEL)のマイクロコントローラ「78K」に対応したC/C++コンパイラ・デバッガの提供を開始したことを発表している。

5月14日

TEL,07年3月期の決算概要を発表
売り上げ,利益とも過去最高を達成

東京エレクトロン(TEL)が発表した07年3月期の決算概要によると,売上高は前年同期比26.5%増の8519億7500万円,営業利益は同90.2%増の1439億7800万円,純利益は同90.1%増の912億6200万円と,過去最高の業績を達成した。主要装置別にみると,半導体製造装置は,メモリメーカーの旺盛な設備投資に牽引され,同32.0%増の6426億円となった。また,FPD製造装置は同24.1%増の1007億円と,同じく2桁の高成長を記録している。
一方,08年3月期については,全社売り上げとして9000億円の大台を目指すとしている。その牽引役となるのは,やはり半導体製造装置で,同13.6%増の7300億円と引続き高成長が期待されている。しかしながら,FPD製造装置では,台湾での大幅な減少が見込まれ,同40.5%減の600億円と厳しい状況が予想されている。

古河電工,07年3月期決算を発表
売上高は1兆円を突破

古河電気工業(古河電工)は,07年3月期決算(連結)を発表した。売上高は前年同期比26.6%増の1兆1047億900万円,営業利益は同43.3%増の536億3200万円,純利益は同16.7%増の297億6500万円となった。主要部門別では,エネルギー・産業機材部門が,DDF(三次元実装用テープ)などの半導体製造用テープの売り上げが好調を維持したことに加え,海外でのLCD-TV向け発泡製品の需要が増加し,同35.3%増の2942億6900万円。金属部門が,Cu地金価格が高止まりするなか,条製品ではデジタル機器・家電,半導体市場向けが好調で,同45.3%増の1938億6700万円。電装・エレクトロニクス部門が,ゲーム機用ヒートシンクの売り上げが伸長し,メモリディスク用Al基板,携帯電話向け3層絶縁電線も好調に推移し,これにCu地金価格の高騰の影響も加わったことにより,同23.6%増の2409億4300万円となった。

住友電工,07年3月期決算を発表
エレクトロニクス関連事業は大幅な増収増益

住友電気工業(住友電工)は,07年3月期の決算概要を発表した。同発表によると,売上高は前年同期比18.8%増の2兆3843億9500万円,営業利益は同22.0%増の1287億4500万円,純利益は同30.3%増の760億2900万円となった。セグメント別にみると,エレクトロニクス関連事業は極細同軸ワイヤや青紫色レーザ用GaN基板の需要増に加え,FPC(フレキシブルプリント回路)も携帯電話向けの売り上げが増加したことから,売上高は同21.4%増の2230億200万円,営業利益は同45.2%増の199億5700万円となった。また,自動車関連事業の売上高は同22.4%増の1兆958億5200万円,情報通信関連事業の売上高は同1.1%減の3330億6300万円,電線・機材・エネルギー関連事業の売上高は同34.3%増の5018億200万円,産業素材関連事業の売上高は同11.5%増の2954億5800万円となった。
なお,同社は08年3月期の業績について,売上高を2兆4000億円,営業利益を125億円,純利益を800億円と予想している。


  • banner


  • banner

  • banner