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Rohm and Haas エレクトロニック・マテリアルズ部門 CMPテクノロジーズ事業部は,32nmノードおよび22nmノード世代のCu配線およびlow-k膜へのCu配線適用に関するCMPプロセスの技術をIBMと共同開発することについて合意し,共同開発契約(JDA)の締結を行った。今後両社は,32nmおよび22nmデバイスの量産を可能にするために,両社が包括的なCMP消耗材ソリューションを構築していくことになる。なお,共同開発研究は,米ニューヨーク州ヨークタウンハイツにあるIBMの研究施設,およびニューヨーク州立大学オルバニー校にあるナノテク研究開発拠点ならびにデラウェア州ニューアークとアリゾナ州フェニックスにあるRohm and Haasの技術センターで進められる予定となっている。