Rohm and Haas，IBMとイオン注入工程材料で共同開発（08/2/29）
Rohm and Haas エレクトロニック・マテリアルズ部門マイクロエレクトロニック・テクノロジー事業部は，IBMとの間で，32nmノード以降のイオン注入工程における材料およびプロセスに関して共同開発契約を締結した。32nm以降では，イオン注入工程が不可欠となっており，これに伴い技術的課題が生じている。また，半導体設計の微小化が進んだ結果，トランジスタ形成に新しい技術が求められている。今後，ロジック設計においてフォトリソグラフィ工程の約40％は，イオン注入工程が必要になると予想されている。共同研究開発は，IBMの米ニューヨーク州イーストフィッシュキル，ヨークタウンアルバニーにある施設，およびマサチューセッツ州マルボロにあるRohm and Haasの先端技術センターで実施される。なお，同技術センターでは，08年6月までにウルトラ・ハイNA193nm液浸装置が導入される予定となっている。
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