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富士通研と東工大，次世代FeRAM向け新メモリ材料を開発（08/3/28）
富士通研究所と東京工業大学（東工大）は，次世代FeRAM向けの新しいメモリ材料を開発したと発表した。FeRAMは，携帯電話やICカード，RFIDタグなどに使用されている不揮発メモリで，大容量化が期待されている。今回開発した新材料は，次世代FeRAMの材料として期待されているビスマスフェライト（BFO）の成分の一部を置き換えたもので，これにより，1000億回の繰り返し書き換えおよびリーク電流の低減に成功。また，新材料は，180nm世代の製品で採用されているものと同じ構造のままで，90nm世代以降のFeRAMに適用することができ，大容量FeRAMの実用化を可能にする。