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NECEL，40nmプロセス採用のセルベースICを発表（08/7/1）
NECエレクトロニクス（NECEL）は，特定用途向け半導体（ASIC）事業強化の一環として，40nmプロセスを採用したセルベースIC「CB-40」を製品化し，受注を開始したと発表した。この新製品は，（1）同社従来製品である55nmプロセスのセルベースIC「CB-55L」の2倍となる最大512Mビットの大容量DRAMマクロ「eDRAM」を1チップ上に集積，（2）同社従来品と比べ消費電力をゲート当たり30〜40％低減可能，（3）同社従来品の2倍となるロジック回路を集積可能，などの特徴を有している。また，新製品は，待機時の低消費電力化に優れた「CB-40L」および，動作時の低消費電力化に優れた「CB-40LG」の2品種をラインナップ。これにより，動画処理機能をもつデジタルAV機器や携帯端末機器などのシステムを低消費電力で構築できるようになる他，高バンド幅の大容量メモリを搭載し，低消費電力と高性能を同時に実現することから，高画質かつ高速の動画処理を担うシステムへの幅広い応用も可能となる。なお，同製品の受注は08年6月30日より開始し，早ければ09年1月より製品出荷を始め，本格的な量産出荷は09年度第1四半期からを予定している。また，同社では，同製品の生産規模を10年度には月産500万個程度へ拡大する計画で，新製品の市場投入によりセルベースIC全体の売り上げを07年度の720億円から10年度には1280億円へ成長させていくとしている。