AMAT，STIギャップフィル技術を32nm以降に拡張（08/7/17）

Applied Materials（AMAT）は，HARP SACVDギャップフィル技術を32nmノード以降のSTIデバイス構造にも適用可能にした「Applied Producer eHARP」を発表した。溝幅30nm以下でアスペクト比12：1以上の形状の埋め込みに用いるボイドフリーの薄膜を形成し，先進的なメモリやロジックデバイスの製造要求を満たしている。独自のプロセスイノベーションを盛り込んだeHARPは，高密度の歪み誘起膜を形成し，従来の平面デバイス構造および新しい3Dデバイス構造のスケーリングを実現する。

• 【ホームページ】 http://www.appliedmaterials.com

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