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SamsungとSun，超高耐久性フラッシュメモリを開発（08/7/25）
Samsung ElectronicsとSun Microsystemsは，2値セル（SLC）方式のNAND型フラッシュメモリデバイスを開発したことを発表した。新たに開発されたメモリデバイスは，SSDサーバアプリケーション向けに開発されたもので，既存のフラッシュメモリと比べて高い耐久性を実現するもの。このサーバグレードSLC NAND型メモリでは，データの書き込み・消去サイクル寿命が一般的なSLCフラッシュメモリの5倍という高い耐久性を達成しており，この結果，膨大なデータを処理するあらゆるサーバのライフサイクルを大幅に改善する。特に，24時間稼働のミッションクリティカルなコンピューティング用途で，高い耐久性を発揮することが期待される。また，同メモリでの1W当たりのデータ転送量（I/OPS：1秒当たり入力/出力）は，従来のハードドライブの100倍に達するとしており，消費電力の大幅な削減効果も期待される。