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ソニーは,プロジェクタ用光源に適した短波長・高出力の赤色半導体レーザアレイの開発に成功した。従来の同社製品(波長645nm)に比べ,視感度が高い波長635nmとすることで輝度約1.6倍のレーザ光源が可能となる。同レーザは長さ10mm,エミッタ数25個のアレイ構造の半導体チップをCu製のヒートシンクに接合した構造。レーザ構造の中の活性層薄膜の均一性向上をはじめ,クラッド層材料であるAlInPの高純度化とp型伝導を得るためのMgドーピングの厳密な濃度コントロールを行った結果,レーザの発振開始電流の低減をはかり,レーザ発振の性能向上を実現した。また,レーザアレイの実装において,レーザアレイとヒートシンクの接合に新しい実装技術を導入することにより,デバイスからヒートシンクへの排熱効率を向上。この実装技術を用いたことにより,レーザアレイの実装位置精度を高くすることが出来たため,レーザ光の光学部品への光の結合効率が向上した。このように,自己発熱が少ない高エネルギー変換効率のレーザ結晶を作製するとともに,発生した熱を効率よく排熱するレーザデバイスの実装を行った結果,波長635nm,光出力7.2W,エネルギー変換効率23%,動作温度25℃を達成するとともに,プロジェクタ組込み時の熱設計,光学設計も容易となった。同社では,今回の開発内容を08年9月2日〜5日に開催される「2008年秋季 第69回応用物理学会学術講演会」にて発表する予定。