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| 企業名 | 01年 | 02年 | 03年 | 04年 | 05年 | 06年 | 07年 |
| Intel | 26539 | 26764 | 30141 | 30730 | 38826 | 35382 | 38300 |
| Samsung Electronics | 7358 | 8194 | 9361 | 16276 | 18330 | 20084 | 18990 |
| Texas Instruments | 6784 | 6944 | 8360 | 9678 | 11722 | 13730 | 13309 |
| STMicroelectronics | 6357 | 6318 | 7238 | 8761 | 8882 | 9854 | 10000 |
| TSMC | 3581 | 4654 | 5865 | 7653 | 7938 | 9416 | 10512 |
| Hynix Semiconductor | 3267 | 3000 | 3620 | 4648 | 5753 | 7368 | 8904 |
| Freescale Semiconductor | 5989 | 5810 | 4864 | 5715 | 5843 | 6329 | 5722 |
| NXP Semiconductors | 3827 | 4360 | 5159 | 5691 | 5962 | 6200 | 7204 |
| Micron Technology | 3825 | 2589 | 3091 | 4404 | 4880 | 5273 | 5690 |
| Infineon Technologies | 5619 | 5136 | 7167 | 8945 | 8243 | 5142 | 6263 |
| Qimonda | - | - | - | - | - | 4769 | 5657 |
| Advanced Micro Devices | 3892 | 2697 | 3519 | 5001 | 5848 | 5649 | 6013 |
| UMC | 1840 | 1939 | 2810 | 3519 | 2963 | 3123 | 3479 |
| Spansion | - | - | 962 | 1193 | 2003 | 2620 | 2500 |
| National Semiconductor | 2113 | 1495 | 1673 | 1983 | 1913 | 2158 | 1930 |
| LSI | 1780 | 1861 | 1693 | 1241 | 1903 | 1949 | 2603 |
| Agere Systems | 4100 | 2200 | 1839 | 1912 | 1676 | 1570 | - |
| 合 計 | 86837 | 83961 | 97382 | 117531 | 132685 | 140616 | 147076 |
主要メーカーの動向
1. Intel
Intelの07年の売上高は，前年比8.2％増の383億ドルとなり，首位の座を堅持している。また，利益は営業利益が同45％増の82億ドル，純利益が同38％増の70億ドルと大幅な増収増益となった。
同社のプラス成長の要因としては，新製品に対する投資や業務効率の改善に向けた取り組みが結実したことことが挙げられる。同年第4四半期における，マイクロプロセッサとチップセットの出荷数ならびに売上高は，過去最高を記録した。また，通期での利益増加率が売り上げ成長率を上回っており，同社では推進中の経営合理化によるものとしている。
一方，設備投資においては，中国の大連に300mmウェーハ対応の半導体量産製造施設「Fab68」を建設する計画を発表している。Fab68には，25億ドルが投じられ，同社にとってアジア初の半導体量産製造施設（前工程）となり，中国でのこれまでの事業活動に次いで，多大な投資が行われる。なお，同社が，新たな拠点に半導体量産製造施設を建設するのは，92年のアイルランドでのFab10の建設以来となる。Fab68の建設着工は07年後半，製造開始は10年前半を予定している。竣工直後は，同社中核事業であるマイクロプロセッサを補完するチップセットの専用製造施設として稼働する予定。この新施設が竣工すれば，同社は米国，アイルランド，イスラエルにある他の拠点と合わせて八つの300mmウェーハ対応施設を有することになる。
2. Samsung Electronics
Samsung Electronicsの07年の売上高は，前年比2.2％減の18兆6600億ウォンとなった。マイナス成長の主な要因としては，DRAMおよびNAND型フラッシュメモリの供給過剰による価格下落によるところが大きい。しかしながら，第3四半期においてはDRAMの価格が供給過剰によって急落するなどの厳しい環境が持続する中，大幅な実績改善を実現。モバイルDRAM，グラフィックDDR，SDRAMなど高付加価値製品の比重を拡大させ，80nmプロセスと68nmプロセス製品の比重を総生産量の60％にまで拡大するなど製品の差別化と原価競争力の強化を行った。さらに，危機をチャンスにするビジネス戦略として厳しいメモリの市況の中でも生産能力を増設するため，メモリ部門に14億ドル規模の追加設備投資計画を明らかにした。
また，同社は，メモリ分野において画期的な製品・技術開発を続けている。07年3月には，60nmプロセスを適用した1G DDR2 DRAMの量産を開始。60nmプロセスでは，これまでの80nmプロセスに比べて40％以上，DRAM業界での主力量産工程である90nmに比べて2倍以上の生産性向上が可能となる。07年4月には，Through Silicon Via型チップ接続方式であるWSP（Wafer-Level Processed Stack Package）技術を適用した，4段積層DRAMチップとモジュールの開発に成功した他，51nmプロセスを適用した16GビットNAND型フラッシュの量産を開始した。さらに，07年10月には，SaDPT（Self-aligned Double Patterning Technology）を適用し，30nmプロセスで64Gの容量を持つNAND型フラッシュメモリの開発に成功している。
3. Texas Instruments
Texas Instruments（TI）の07年の売上高は，主に RISCマイクロプロセッサ，携帯電話向け半導体製品およびDLP製品の需要減により，前年比3.1％減の133億900万ドルとなった。
同社の07年の半導体製品別売上高を見ると，アナログIC関連ビジネスの売上高は，主に高性能アナログ半導体の需要増が携帯電話向け製品の売り上げ減を相殺したことにより同1％増，高性能アナログ製品の売上高は同9％増となった。デジタル・シグナル・プロセッシング製品関連ビジネスの売上高は，DSL事業部門の売却と，携帯電話向けをはじめとする広範囲な市場での需要減により，同2％減となった。その他の半導体事業の売上高は，DLPおよびRISCマイクロプロセッサ各製品の需要減により同12％減となった。マイクロコントローラ製品およびロイヤリティ収入は増加したが，標準ロジック製品の売上高は06年とほぼ同額となった。
また，同社はフィリピンに組み立て・テスト工程の新工場を建設する。この新工場は，フィリピンのクラーク経済特区に建設し，総面積は7万7000m2となる予定。これに伴い，3000名の新規雇用を見込んでおり，フィリピンでの同社従業員数は，07年時点の2倍になる。なお，新工場の建設開始は07年下期を，稼動開始は08年下期をそれぞれ予定している。
4. STMicroelectronics
STMicroelectronicsの07年売上高は，前年比1.5％増の100億ドルとなった。これは，MEMS製品，デジタル家電関連製品や産業向け製品，さらにはワイヤレス分野向け専用製品などの成長によって牽引されている。
販売分野別の構成比率では，自動車分野が全体の15％，コンシューマ分野が17％，コンピュータ分野が16％，通信分野が37％，産業分野＆その他が15％を占めている。これら販売分野別での成長率としては，産業＆その他の分野が同8％増，自動車分野と民生分野がそれぞれ同4％増，通信分野が同1％減，コンピュータ分野が同2％の減少となっている。
一方，製品グループ別の構成比率では，アプリケーション専用製品グループ（ASG）が全体の54.4％，産業＆マルチセグメントセクター（IMS）が31.4％，フラッシュメモリグループ（FMG）が13.6％，その他が0.6％を占める。製品グループ別での成長率としては，ASGが同0.8％増，IMSが同10.4％増，FMGが同13.1％の減少となっている。
同社とIntelおよび投資会社のFrancisco Partnersの3社は，07年5月にフラッシュメモリの合弁会社「Numonyx」の協同設立に関して合意した。手続きの完了は，08年第1四半期中を予定している。
5. TSMC
TSMCの07年の売上高は，前年比1.6％増の3226億3000万NTドルとなった。
同社は，300mmウェーハ対応のギガFabへの移行を推進しており，1年にわたりすべての装置の生産性向上に努めてきた。特に新竹のFab12とFab14で，65nm，45nmの増強を中心に展開。45nmは，07年第3四半期から製造を開始しており，顧客は10社以上を数える。
同社07年の主な事業成果としては，1月にインド拠点を開設，3月にEDRAMおよび55nm製品をリリースした。また，9月には45nm量産スケジュールを発表し，TSMC本社の20周年記念式典を執り行った。12月には，90nmプロセスでの300mmウェーハ100万枚出荷を達成・発表し，32nm世代の低電力SoC向けCMOS技術開発についても発表を行った。
6. Hynix Semiconductor
Hynix Semiconductorの07年の売上高は，前年比11.9％増の8兆6050億ウォンとなり，06年に引続き過去最高額を達成した。
同社は，07年3月に東芝と半導体特許関連のクロスライセンス契約および製品供給契約を締結した。この特許クロスライセンス契約締結で，アメリカと日本，国際貿易委員会保留中となっていた両社の全特許訴訟が取り下げられた。また，同月HynixはSanDiskと，両社のフラッシュメモリ製品に対する特許クロスライセンス契約および製品供給契約を締結した他，両社はx4製品を含むメモリ製品生産とNAND型 フラッシュメモリシステムソリューション販売のための合弁会社設立に関して了承覚書を締結した。両社は合弁会社に同額投資し，Hynixにて生産することとなる。同年10月には，米Ovonyxと，PCM（Phase Change Memory：相変化メモリ）技術に関して長期にわたるライセンス契約を締結。さらに，同年11月には，韓国のSiliconFile TechnologiesとCMOSイメージセンサ事業で提携することに合意し，11月には韓国のSiliconFile TechnologiesとCMOSイメージセンサ事業で提携することに合意したことを発表した。
7. Freescale Semiconductor
Freescale Semiconductorの07年売上高は，前年比10.0％減の57億2200万ドルとなった。
同社は，07年2月に半導体の先進研究開発を目的としたIBMテクノロジー・アライアンスへの参画を発表した。この合意には，CMOSやSOIに代表される45nm世代に向けた先進半導体の研究開発が含まれる。また，これにより現在同社で所有している製造拠点や，ファンドリに加えて，IBMのCommon Platformパートナー企業の製造キャパシティも利用できるようになり，製造戦略をさらに強化することとなった。
また，中国，インド，ブラジルにデザインセンターを新たに設けるなど，開発拠点の増強を行った。
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