※社団法人電子情報技術産業協会が発行する「ICガイドブック」の資料編，1.用語解説から，プレスジャーナルが一部抜粋し，作成させていただきました。
印は参照用語項目を示しています。
印は関連用語項目を示しています。
[ A - Z ] [ あ行 ] [ か行 ] [ さ行 ] [ た行 ] [ な行 ]
[ は行 ] [ ま行 ] [ や・ら・わ行 ]
A - Z
A
| ArFエキシマレーザ |
argon fluoride excimer laser
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| ASCP |
application specific customer product
ASIC の一つ。特定顧客向けの特定用途IC。カスタムICともいう。これには，フルカスタムICとセミカスタムICがある。後者には，ゲートアレイ，スタンダードセルなどがある。一般的にASCPをASICと表現するケースが多い。
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| ASIC（エーシック） |
application specific integrated circuit
特定用途向けIC。ASICの定義は多様である。広義のASICでは特定用途向けに専用機能をもつIC（ASCP，ASSP）をすべて含める。大規模なASICをシステムLSIという場合もある。一般には狭義に解釈する場合が多く，ユーザ固有の仕様をもつ専用ICを指し，ゲートアレイやスタンダードセル，PLDなどのICが代表的製品である。
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| ASSP |
application specific standard product
特定用途向け専用標準IC。ASICの一つ。半導体メーカが主体となって設計・開発し，通信・AV・OAなどの各応用商品に特化した標準ICとして，複数ユーザを対象として販売するIC
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B
| BGA |
ball grid array
表面実装型パッケージの一つ。プリント配線基板に表面実装できるように，パッケージ本体のベース（底）面に金属ボールまたは金属バンプを一定の間隔で格子状に並べて外部端子としたパッケージ
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| Bi-CMOS（バイシーモス） |
bipolar complementary metal-oxidesemiconductor（Bipolar-CMOS）
CMOSとバイポーラトランジスタの長所を組み合わせた半導体デバイス。CMOSは低消費電力，高集積に有利だが，出力電流が小さいのが欠点である。一方バイポーラトランジスタは動作速度が速いが，消費電力が大きい。そこで，デジタル信号処理を行う大規模な論理回路にCMOS技術を，高速または大出力が必要な部分にバイポーラ技術を使ったIC。
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| BOPS（ボップス） |
billion operation per second
デジタル信号処理を行うプロセッサなどの性能指標に用いられる単位。1秒間に実行できる処理の基本単位の数を示す。billion＝10億。
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C
| CCD |
charge coupled device
電荷結合素子。シリコン基板表面の酸化膜上に多数の伝送電極が配列されたMOS構造のデバイスで，自己走査機能と記憶機能をもつ。フォトダイオードと組み合わせたエリアセンサ（固体撮像素子），リニアセンサおよび信号遅延素子などの製品がある。 |
| CISC（シスク） |
complex instruction set computer
複合命令セットコンピュータ。ソフトウェアの継承性を重視してソフトウェア制作を簡単化するために複雑な命令セットを多くもち，機能や命令をハードウェアで実行させるようにしたコンピュータ（MPU）。コンピュータの上位互換性に有利である。一方，使用頻度の低い複雑な命令によって命令実行速度の向上が阻害される面もある。パソコンなどの汎用MPUの主流となっている。
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| CMOS（シーモス） |
complementary metal-oxide-semiconductor
相補型MOSともいう。nMOS FETとpMOS FETの両方を対にして相補型回路を構成したMOSデバイス。低消費電力で動作電圧範囲が広く対雑音特性にも優れている。現在，LSIのほとんどがCMOSとなっている。 |
| CMOS 標準ロジック |
CMOS standard logic
TTL（Transistor Transistor Logic）と同じように品種も豊富で広く使用されているCMOSのロジックICファミリ。この汎用ファミリには，NANDやNORのようなゲート，フリップフロップなどのほか，バイポーラ高速ロジックICに匹敵するような高速CMOS標準ロジックが商品化されている。 |
| CMP |
chemical mechanical polishing
化学的機械的研磨。ウェハ表面の平坦化，プラズマエッチングやRIE（Reactive Ion Etching）などの材料除去プロセス，また銅のデュアルダマシン法による配線形成などに使われる。物理的な研磨だけによるシリコンウェハへの損傷を低減するために化学的反応も用いる。平坦化技術という意味でChemical Mechanical Planarizationという場合もある。
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| CPU |
central processing unit
中央演算処理装置。マイクロプロセッサ（MCU）やマイクロコントローラ（MPU）の中枢部分で，プログラムメモリ（ROM）から命令を読み出し，その命令に従ってデータ伝送や算術・論理演算などを実行する。データや命令，ステータスなどをストアするレジスタ，プログラムカウンタやスタックポインタなどの専用レジスタ，命令デコーダや演算を実行するALU，アキュムレータなどからなる。
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| CSP |
chip scale package，chip size package
半導体チップサイズとほぼ同等の外形サイズのパッケージ。携帯機器など電子機器の小型軽量化を実現する。CSPにはワイヤボンド型CSP，セラミック型CSP，スルーホール型CSP，μBGA型CSPなどがある。いずれも外部電極を底面にグリッド（格子）状に配置し，外形サイズを極力チップサイズに近づけるような構造になっている。
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| CVD |
chemical vapor deposition
化学的気相成長法。ウェハ上に薄膜を形成する方法の一つで，IC製造プロセスの主流となっている。配線として用いる多結晶シリコン，表面保護膜や絶縁膜として用いる酸化シリコン，窒化シリコン，PSG（Phospho-Silicate Glass：リン化酸化膜ガラス）など，形成したい薄膜の構成元素をもった気体をウェハ上に流し，その表面で化学反応を起こさせて薄膜を形成する。（1）エネルギー源（熱CVD法，光CVD法，プラズマCVD法），（2）成膜圧力（常圧CVD：AP-CVD，減圧CVD：LP-CVD），（3）反応方式（有機金属化学気相成長法：MO-CVD）などに分類できる。
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D
| DFM |
design for manufacturability
製造容易化設計。設計の段階から，製造プロセスで生じる問題点を把握し，これを考慮して設計する考え方。半導体製造プロセスで生じる問題を設計の段階で事前に解決すること。
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| DIP |
dual in-line package
ICパッケージの一つ。リード線がパッケージの対向する両側面から出ており，L字型に曲げられ，下に真直ぐ伸びている。基板挿入型の実装に用いる。
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| DRAM（ディーラム） |
dynamic random access memory
揮発性メモリの一つ。記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリ。メモリセルはトランジスタ1個とキャパシタ（コンデンサ）1個で構成され，情報の記憶はキャパシタに蓄えた電荷の有無によって行う。この電荷はリーク（漏れ）電流によって時間の経過とともに消えるため，一定時間ごとに情報を読み出して再度書き込みを行う必要がある（リフレッシュ動作）。電源を切ると記憶情報は消滅する。一般的な汎用メモリとして，広範囲に利用されている。
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| DSP |
digital signal processor
乗算器を内蔵し，積和演算機能をもつデジタル信号処理専用の1チップマイクロプロセッサ。浮動小数点演算が可能であり，音声デジタル信号処理や動画像処理などに適している。
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E
| EB 露光 |
electron beam exposure
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| ECL |
emitter coupled logic
CML（Current Mode Logic）ともいう。バイポーラロジックICの一つ。トランジスタを非飽和領域で動作させるので非常に高速な論理動作が可能であるが，消費電力が大きい。大型コンピュータの論理演算部や高速メモリに使用される。
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| EEPROM（イーイーピーロム） |
electrically erasable programmable read only memory
E2PROM（イースクェアピーロム）ともいう。電気的に記憶内容の書き込みや消去が可能な不揮発性メモリ。消去のために紫外線が必要なEPROMと異なり，ボードに実装したまま書き換えができるので使いやすいのが特徴である。
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| EL |
electroluminescence
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| EPROM（イーピーロム） |
erasable and programmable read only memory
記憶内容が電気的に書き込み可能で，紫外線を当てて消去が可能な不揮発性メモリ。紫外線を照射するために，ICパッケージには石英ガラスの窓がある。記憶の消去は全ビット一括。窓のない通常パッケージに実装したものをOTPROM（One Time PROM）という。
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| EUV |
extreme ultra violet
極端紫外線。光の中で紫より短い波長の光を紫外線と呼ぶ。大気によって吸収されはじめる波長200nmから0.2nmの波長域を真空紫外（VUV）域，透明な固体結晶がなくなる105nm以下の波長域を極端紫外（EUV）域と呼ぶ。0.2〜30nmは軟X線域とも呼ぶ。EUVリソグラフィは，波長13nmの極端紫外線を用いて縮小投影露光を行う。
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F
| F2エキシマレーザ |
fluorine excimer laser
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| FeRAM（FRAM）（エフイーラム） |
ferroelectric random access memory
FRAMともいう。強誘電体メモリまたは強誘電体不揮発性メモリ。電界を加えなくても電荷が残る（自発分極）性質をもつ強誘電体をメモリセルに利用した不揮発性RAM。電源を切ってもデータ内容を保持できる。EEPROMと比較してデータの書き換え時間は短く，書き換え可能回数も桁違いに多い。
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| FIB |
focused ion beam
集束イオンビーム。イオンビームと試料の相互作用によって顕微鏡，加工（研磨），堆積（デポジション），イオン注入などの機能を実現する。イオン源にはガリウム（Ga）などがある。たとえば，ビーム径を5〜10nmに集束させた装置は，フォトマスクのパターン修復やLSIの不良箇所の解析，高分解能観察，MEMSなどの微細加工などに利用されている。
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| FLOPS（フロップス） |
floating-point operations per second
1秒間に処理できる浮動小数点演算回数を示す単位。通常は100万回単位（MFLOPS）で示す。10億回（GFLOPS）を単位にすることもある。
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| FOUP（フープ） |
front opening unified pod
ウェハカセットの搬送・保管用のケース（ポッド）。「局所クリーン化技術」の一つ。SMIFがポッド内のウェハカセットの出し入れを上下に行うのに対して，FOUPは前後に出し入れする。
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| FPGA |
field programmable gate array
大規模PLD。PLD（Programmable Logic Device）の一つ。ユーザが手元でプログラム可能なセミカスタムIC。CPUを内蔵した製品や1000万ゲート（システムゲート）を超える製品が発表されている。開発期間が短くできるので，試作品だけでなく，最終製品にも利用されている。プログラム可能な論理モジュールを規則的に並べ，その間に配線領域を用意し，各論理モジュールと配線領域を結線（プログラム）することで論理回路を実現する。プログラムの方法は，SRAMセル方式，EPROM方式，アンチフューズ（導通フューズ）方式，フラッシュEEPROM内蔵方式がある。
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G
| GaAs IC |
Gallium Arsenide integrated circuit
ガリウムひ素（GaAs）単結晶を基板としたIC。GaAsは，III-V族化合物半導体の代表的な材料で，結晶内の電子の動き（移動度：Mobility）がシリコン（Si）に比べて5〜6倍も速く，超高速・超高周波デバイスに適している。 |
| GMR |
giant magnetoresistive
巨大磁気抵抗効果。HDD ヘッドに広く使われている。磁場をかけたときの電気抵抗変化（磁気抵抗効果MR）が従来の単体物質に比べて大きく変化することから命名された。基本構造は強磁性体―常磁性金属―強磁性体の多層膜。
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| g 線ステッパ |
g-line stepper
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H
| HEMT（ヘムト） |
high electron mobility transistor
高電子移動度トランジスタ。ガリウムひ素（GaAs）などの化合物半導体をヘテロ接合（2種類の異なった半導体材料の接合）し，その接合面を電子が高速移動する性質を利用した超高速トランジスタ。シリコン（Si）を使った半導体よりはるかに動作速度が速い。
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| High-k |
high-dielectric-constant film
高誘電率膜。SiO2などに比べて非常に大きい誘電率をもつ誘電体薄膜。微細化が進むLSIの小型キャパシタやメモリセルの材料として開発が進んでいる。ハフニウム（Hf）系が期待されている。
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| HTPS |
high temperature poly-silicon
高温で作成した多結晶シリコン。TFT（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を形成するシリコン薄膜を，比較的高温で多結晶化することで，電子の移動度（モビリティ）を高めることができる。プロジェクタに用いられるアクティブマトリクス駆動方式の透過型LCD（液晶ディスプレイ）に採用されている。
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I
| IDM |
integrated device manufacturer
垂直統合型LSIメーカ。設計から製造，販売，サポートまでを一貫して行う半導体ビジネスの形態。 |
| IEEE1394 |
IEEE1394
音声や動画など連続的なデータの伝送に向くシリアルインタフェース規格。非同期伝送方式をもつ。1995年にIEEEが正式に仕様を採択した。データ伝送速度は100M，200M，400M，800Mビット/秒がある。電源も供給でき，ホットプラグ（電源を入れたまま抜き差しできる）が可能となっている。
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| IGBT |
insulated gate bipolar transistor
パワーデバイス分野の代表的素子で，MOS FETとバイポーラトランジスタを組み合わせて1チップにした素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタともいう。MOS FETでバイポーラトランジスタを制御する構造であるため，MOS FETの大電力制御などの両方の特長を兼ね備えており，汎用モータやインバータ制御機器などのスイッチング素子として用いられる。 |
| IP |
intellectual property
設計資産。本来は「知的財産権」（IPR：Intellectual Property Right）の意味だが，これと区別するため，半導体分野ではCPUやメモリ，信号処理回路などLSIを構成する機能ブロックを「IP」（設計資産）と呼ぶ。IPにはその機能ブロックのハードウェア（論理回路図，LSIレイアウト図など），およびソフトウェア（ドライバソフトウェア，ファームウェア，ミドルウェアなど）がある。ハードウェア回路を「半導体IP」，ミドルウェアなどのIPを「ソフトウェアIP」ということもある。動作が確認されている既設計の回路ブロック（半導体IP）を利用すると，新たに回路を設計するよりも効率的で設計期間が短縮できる。
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| IPプロバイダ |
IP provider
半導体IP（Intellectual Property：設計資産）の設計だけを専門に行い，これをLSIメーカなどへ供給する業態の企業。
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| i 線ステッパ |
i-line stepper
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K
| KrFエキシマレーザ |
krypton fluoride excimer laser
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L
| LCD |
liquid crystal display
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| LOCOS（ロコス） |
local oxidization of silicon
シリコンIC内の素子間分離に使われる局所酸化膜技術。窒化膜（Si3N4）でIC素子を作る領域を覆い，高温酸化処理をすると，窒化膜のない領域に酸化膜が作られる。この酸化膜がLOCOSと呼ばれ，隣接素子間の分離に使用される。素子間の距離を短くでき，高集積化に非常に有効な技術である。 |
| Low-k |
low dielectric constant film
低誘電率膜。IC で最も広く用いられている絶縁膜である二酸化シリコン（SiO2，比誘電率が約4）より低い比誘電率をもつ膜の総称。多層配線による信号遅延の問題を避けるため，層間絶縁膜として有機物やポーラス（多孔質）材料まで含めてさまざまな材料，薄膜が開発されている。
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| LTPS |
low temperature poly-silicon
低温多結晶シリコン。TFT（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を形成するシリコン薄膜を，ガラス基板などが変形しない比較的低温で作成する。中小型で高輝度のアクティブマトリクス駆動方式の透過型LCD（液晶ディスプレイ）に採用されている。
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M
| MCM |
multi-chip module
同一基板上に2個以上のLSIが実装され，そのうち少なくとも1個はベアチップを使用した機能モジュール。 |
| MCP |
multi-chip package
一つのパッケージに複数のICチップを搭載したパッケージ。異なる種類のチップや，同種のチップを搭載することによって，実装面積の削減が可能となり，デバイスの大容量化や高機能化が実現できる。
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| MCU |
microcontroller unit
1 チップ上に中央演算処理装置（CPU），RAM，ROM，I/Oインタフェース回路などを集積したものでマイクロコンピュータの働きをする。「シングルチップマイクロコンピュータ」あるいは「マイクロコントローラ」ともいう。用途は主に組み込み型のコントローラとして，さまざまな電子機器に内蔵される。4ビットから32ビットまでの幅広いMCUが製品化されている。
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| MEMS（メムス） |
micro electro-mechanical system
欧州ではMST（Micro System Technology）とも呼ぶ。シリコンウェハプロセスで培われた微細加工技術を用いて作製された，可動部を含む微小機械システムの総称。代表的な応用例としてDMDや圧力センサなどがある。光通信，医療・バイオ，マイクロパワーなど幅広い分野で応用が期待されている。マイクロレベルからナノレベルへ進展したNEMS（Nano Electro-Mechanical System）も検討されている。 |
| MIPS（ミップス） |
million instruction per second
コンピュータやマイクロプロセッサの性能を表す単位。1秒当たりの命令実行回数を100万回の単位で表現したもの。
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| MMIC |
monolithic microwave integrated circuits
モノリシックのマイクロ波集積回路。マイクロ波能動・受動素子および素子間を結ぶ配線をガリウムひ素（GaAs）やシリコン（Si）などの半導体基板上に集積化したもの。能動素子としては，主にGaAs MES FET（ショットキーゲート電界効果トランジスタ），HEMT（高電子移動度トランジスタ）およびHBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）が使われる。
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| MOPS（モップス） |
million operation per second
デジタル信号処理を行うプロセッサなどの性能指標に用いられる単位。1秒間に実行できる処理の基本単位の数を示す。million＝100万。なおBOPSのbillionは10億。
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| MOS（モス） |
metal-oxide-semiconductor
金属酸化膜半導体。シリコン基板などの半導体表面に酸化膜を介して金属を付けた構造をもつデバイス。金属―酸化膜―半導体の構造をとる。ソースからドレインに移動するキャリアの量（ソースとドレイン間のチャネル電流）を，絶縁体を介してゲート電圧で制御する。MOS構造はそのまま容量（キャパシタ）として使うこともあるが，MOS ICの基本トランジスタとして重要である。 |
| MOS FET |
MOS field effect transistor
MOS型電界効果トランジスタ。ソース，ゲート，ドレインの3 電極があり，ゲート電極に加えた電圧によってソースとドレイン間のチャネル電流を制御する。MOS FETにはnMOS FETとpMOS FETの2種類がある。バイポーラトランジスタに比べてチップ内のデバイス占有面積が小さく，製造工程が短いので高集積化に適している。 |
| MPU |
microprocessor unit
マイクロCPUあるいはマイクロプロセッサともいう。マイクロコンピュータの中央演算処理装置（CPU）をLSI化したもので，演算や制御機能をもつ。並列処理を行うビット数を付けて「16ビットマイクロプロセッサ」などとよぶ。8ビット，16ビット，32ビット，64ビットのマイクロプロセッサなどがあり，最近は128ビットも製品化されている。命令方式にはCISC，RISC，VLIWがある。
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| MRAM（エムラム） |
magnetic random access memory
磁気不揮発性メモリ。磁気抵抗効果をもつGMR（Giant Magnetoresistive：巨大磁気抵抗効果）膜やTMR（Tunneling Magnetoresistive：トンネル型磁気抵抗効果）膜を記憶素子に用いた不揮発性メモリ。GMR やTMR 膜は，スイッチング磁界によって電気抵抗値が大きく変化する。この現象を利用して，電流の切り替えによって発生する磁界をスイッチすることで“0”“1”の状態を実現する。
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N
| nMOS（エヌモス） |
n-channel MOS
n型（nチャンネル）MOS EFTの略称。基板がp型で構成され，ソースとドレイン部がn型に作られたMOSデバイス。ソースとドレイン間のチャネル電流が電子（エレクトロン）によって運ばれるので，pMOSより高速である。
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O
| OTP |
one time programmable ROM
ワンタイムPROMという。一度しか書き込みができないタイプのプログラマブルROM。ROMライタ/専用ライタで簡単に書き込める。プログラム開発のデバッグ用，試作用に使われている。
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P
| PDP |
plasma display panel
ガス放電で発生する紫外線で蛍光体を励起し，発光させるディスプレイ。薄さと大画面という特長がある。
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| PFC |
perfluoro compounds
代替フロンの一つ。米国では，Perfluoro Carbonという場合が多い。炭化水素の水素基がフッ素で全て置換された化合物を意味する。半導体業界では，CF4，C2F6，C3F8，C4F8，CHF3，SF6，NF3を総称してPFCと呼んでいる。微細加工のためのエッチング工程やCVD 装置の洗浄で使用される重要なガスであるが，地球温暖化係数が大きいと言われ，その排出削減が求められている。
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| PGA |
pin grid array
挿入実装型パッケージの一つ。下面全面にピンが格子状に配列されている。
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| PLD |
programmable logic device
プログラムすることでユーザが所望の論理を容易に実現できるセミカスタムIC。超短納期，少量多品種生産の点で優位性がある。一般に，ANDゲート群とORゲート群の論理回路がアレイ状に配列されている。プログラムの方法はSRAMセル方式，EPROM方式などがある。名称は，FPGA（field programmable gate array），PLA（programmable logic array），CPLD（complex programmable logic device），FPL（field programmable logic），PAL（programmable array logic）などということもある。
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| pMOS（ピーモス） |
p-channel MOS
p型（pチャンネル）MOS FETの略称。基板がn型で構成され，ソースとドレイン部がp型に作られたMOSデバイス。チャネル電流は正孔（ホール）によって運ばれる。nMOSに比べて速度が遅いので，単独では高い出力電圧が必要な場合など特殊な用途に使われる。
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| pn 接合 |
pn junction
同一結晶中で一方がp型，他方がn型の構造を有する半導体の接合。
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| PROM（ピーロム） |
programmable read only memory
プログラム可能な読み出し専用メモリ。不揮発性メモリの一つ。IC完成後に外部から電気的に記憶情報を書き込めるタイプの読み出し専用メモリ。種類として，EEPROM（E2PROM），EPROM，OTPなどがある。
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| PVD |
physical vapor deposition
物理的気相成長法。物理的手段（たとえばスパッタリングなど）を用いて材料物質を堆積させる成膜法。これに対するものが化学的気相成長法（CVD）。
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Q
| QFP |
quad flat package
表面実装型パッケージの一つ。パッケージの4側面すべてからリード端子が出ているタイプ。
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R
| RAM（ラム） |
random access memory
随時書き込み読み出しメモリ。情報を任意のメモリセルに任意の順序で記憶することができ，また任意のメモリセルから同じ速度で記憶情報を読み出すことができる。定期的にリフレッシュ動作が必要なダイナミックRAM（DRAM）や電源を切るまで記憶情報を保持し続けるスタティックRAM（SRAM）などがある。
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| Rambus DRAM，RDRAM |
Rambus dynamic random access memory
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| RCA 洗浄 |
RCA cleaning
米国RCA社によって開発された，IC製造工程における代表的なシリコンウェハ洗浄法。
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| RIE |
reactive ion etching
反応性イオンエッチング。ドライエッチングの一つ。加速イオンによる物理的作用と被エッチング材との化学的作用の両方をエッチングのメカニズムに利用している。
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| RISC（リスク） |
reduced instruction set computer
縮小命令セットコンピュータ。CPUの命令を最小限に抑えてハードウェアの負担を軽減し，高速動作を追求したコンピュータ。命令セットは使用頻度の高い基本命令に限定し，命令語長の統一，各命令を同じサイクル時間で実行できるなどの手法をとる。高いMIPS値が得られる一方で，コンパイラなどソフトウェアへの負担は重くなる。
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| RoHS 指令 |
Directive of the Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances
電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限に関する欧州指令。2006年7月1日に施行される。鉛，水銀，六価クロム，カドミウム，ポリ臭化ビフェニル（PBB），ポリ臭化ジビフェニルエーテル（PBDE）の電気電子機器での含有が制限され，均質材料中の鉛，
水銀，六価クロム，PBB，PBDEは，重量比0.1％，カドミウムは重量比0.01％が最大許容値である。均質材料とは，機械的に異なる材料に分離できないことをいう。この指令には，除外用途が設定されている。
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| ROM（ロム） |
read only memory
読み出し専用メモリ。電源を切っても記憶した情報が消えない特徴をもつ。マイクロプログラム，文字パターン，定数などの内容が変化しない情報を記憶するのに使用される。ユーザが情報を自由に書き込めるプログラマブルROM（PROM）と製造工程で書き込み内容が固定されるマスクROMに大別される。
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S
| SED |
surface-conduction electron-emitter display
CRT（ブラウン管）と同様に，電子を真空中に放って格子状に配置されたガラス基板上の蛍光体を励起し，発光させるディスプレイ。 |
| SEM（セム） |
scanning electron microscope
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| SiGe |
silicon germanium
シリコン（Si）とゲルマニウム（Ge）の固溶体である混晶半導体。Siより禁制帯幅が狭く，電子移動度が大きい特長をもつ。また，シリコンバイポーラトランジスタと比べてより高速動作が可能。 |
| SiO2 |
Silicon dioxide
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| SiP |
system in package
パッケージの中に所望のメモリやマイコン，受動部品を複数搭載し，内部を三次元的に接続することで所望のシステムを実現したもの。 |
| SMD |
surface mount device
表面実装型部品。SMTと同義語で使われることがある。
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| SMIF（スミフ） |
standard of mechanical interface
ウェハカセットの搬送・保管用のケース（ポッド）。この中に収納したウェハはクリーン度を保つことができる。高度なクリーンルーム内でなくてもICの製造（前工程）が可能になる。このため「局所クリーン化技術」ともよばれる。
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| SMT |
surface mount technology
面実装技術。パッケージのリードを基板に挿入せずに面実装する技術。電子機器の小型，軽量，薄型化に対応する。これに対応した部品を面実装部品（SMD：Surface Mount Device）という。
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| SoC |
system on a chip
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| SOG |
sea of gate
自由にゲート領域と配線領域を構成できる構造のゲートアレイ。チップ全面にトランジスタを海のように敷き詰めているのでSea of Gate，あるいはチャネルレス型ゲートアレイと呼ばれている。RAMやROMを効率よく内蔵し，ランダム論理だけでは回路が構成しにくい大規模回路などに利用される。 |
| SOI |
silicon on insulator
シリコン酸化膜（SiO2）などの絶縁膜の上にSi層を形成した構造。そこにLSIをつくる。サファイアの表面にシリコン単結晶を気相成長させたSOS（Silicon on Sapphire）が最初の試み。サファイア基板上の薄膜Si層をレーザ光などで単結晶化し，ICを作り込む。このほか，酸化膜を介してSi基板同士を貼り合わせる方法や，Si単結晶基板に酸素イオンを打ち込みSiO2層を形成するSIMOX（Separation by Implanted Oxygen）法などが実用化された。SOIデバイスは低消費電力，高速動作に適している。 |
| SRAM（エスラム） |
static random access memory
記憶保持動作（リフレッシュ動作）が不要な随時書き込み読み出しメモリ。スタテックRAMともいう。メモリセルがフリップフロップ回路で構成されており，一度書き込まれた情報は電源を切るまで消えない。SRAMは動作タイミングが容易で，高速性能も得られやすい。このため，高速を要求するキャッシュメモリや小型電子機器に使用される。メモリセルがDRAM構造でリフレッシュ用の補助回路を内蔵した疑似SRAM（Pseudo SRAM）がある。
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T
| TAB（タブ） |
tape automated bonding
ICチップをテープキャリアに張り付けるLSI実装技術。IC上に形成したバンプ電極をテープキャリアのインナーリードと熱圧着する方式。ICパッドを一括接続するギャングボンディング方式と1パッドずつ接続するシングルポイントボンディング方式がある。広義には，樹脂封止やテスティングも含める場合がある。
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| TCP |
tape carrier package
フィルムキャリアパッケージともいう。ICチップをテープフィルムと接続し，樹脂で封止するTAB（tape automated bonding）技術を用いたパッケージ。TCPはプラスチックパッケージに比べて多端子・薄型化が可能である。
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| TFT |
thin film transistor
薄膜トランジスタ。ガラスなどの絶縁基板上にCVD（Chemical Vapor Deposition：化学的気相成長）技術やスパッタリング技術で形成したトランジスタ。構造は通常のMOSトランジスタと同じ。通常のトランジスタやICなどがシリコン単結晶を用いるので，区別するために薄膜トランジスタと呼ぶ。薄膜にはアモルファスシリコンや多結晶シリコンが使われる。単結晶シリコンに比べて移動度は小さい。しかし，大面積化が可能といった利点を生かして，LCDの画素スイッチなどに使用される。最近ではペンタセンなど有機材料を用いた有機TFTも開発されている。
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| TMR |
tunneling magnetoresistive，spin tunnel magnetoresistive
トンネル型磁気抵抗。十分薄い絶縁層を挟んだ強磁性体の両端に電圧を加えると，トンネル効果により電子が絶縁層を通過できる。この状態で外部磁界を変化させると電気抵抗が急激に変化する。これがスピントンネル磁気抵抗効果である。現行のGMR 素子に対して，MR 比(磁場をかけたときに抵抗変化する比率)が高まるため，将来のHDD ヘッドだけでなく，磁気不揮発性メモリ（MRAM），スピンエレクトロニクス素子への応用が期待されている。
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U
| USB |
universal serial bus
周辺装置を接続するためのパソコン向けインタフェース仕様。マウスやキーボード，プリンタ，モデム，可搬型記憶装置，スピーカ，ジョイスティックなどのインタフェースの共通化を狙う。パソコン本体がUSBコネクタを一つ備えるだけで，各種の周辺装置をスター状に最高127 台まで接続できる。最近ではフラッシュメモリを内蔵した，いわゆる「USBメモリ」も普及している。
|
| UVリソグラフィ |
ultra violet light lithography
|
V
| VCX |
Virtual Component Exchange
スコットランドに設立された「半導体IP取引所」。
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| VLIW |
very long instruction word
命令長が128ビット以上で，複数の処理を並列に高速実行するマイクロプロセッサのアーキテクチャ。
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X
| X 線リソグラフィ |
X-ray lithography
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[ A - Z ] [ あ行 ] [ か行 ] [ さ行 ] [ た行 ] [ な行 ]
[ は行 ] [ ま行 ] [ や・ら・わ行 ]
