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あ〜お
あ
| アイソレーション |
isolation
素子間分離。ICで同一基板内の各素子が干渉しあい悪影響をおよぼさないように，お互いを電気的に絶縁分離すること。LOCOSは代表的なものである。
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| アスペクト比 |
aspect ratio
横縦の比率。半導体の配線パターンでは，配線幅に対する配線の厚さ（高さ）の比率をいう。コンタクトホールでは，開口直径に対する開口深さの比率をいう。 |
| アッシング |
ashing
灰化。ICのリソグラフィ工程で，フォトレジストを塗布・露光・現像し，エッチングなどのマスクとして利用した後に，不要となったフォトレジストを除去するため，酸素プラズマなどで反応させ，除去する方法をいう。 |
| 後工程 |
assembly and testing process
IC 製造工程で，前工程（拡散工程）ででき上がったシリコンウェハを，1個1個のチップに切り分け，パッケージに収納（封止）する工程をいう。組み立て工程，選別工程，バーンイン工程，検査工程などがある。
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| アナデジLSI |
analog-digital LSI
アナログ・デジタル混載LSI。ミックスドシグナルともいう。アナログ回路とデジタル回路を混載したLSI。
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| アニール |
anneal
ひずみなどの除去・防止のための熱処理。焼き戻しともいう。IC製造工程では，たとえばイオン注入後に，レーザや電子ビーム，電気炉などを使用して，導入した不純物を電気的に活性化・安定化したり，傷ついた結晶格子のダメージ回復のための熱処理をいう。 |
| アモルファス |
amorphous
非晶質。ガラス質ともいう。固体材料で構成原子が規則正しい配列をもたない状態のもの。アモルファスシリコンは不規則的構造で無定型状態だが，半導体の性質をもつ。これを利用して液晶ディスプレイの薄膜トランジスタ（TFT）や太陽電池などが作られている。 |
| アラインメント |
alignment
位置合わせ。マスクパターンをウェハなどに転写する時の位置合わせ，あるいはその操作をいう。
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い
| イールド |
yield
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| イオン注入 |
ion implantation
イオン打ち込みともいう。原子をイオン化して加速し，固体中に注入すること。この原子を不純物原子と呼ぶ。物体の性質を変える方法の一つ。半導体では，MOSトランジスタのソースやドレイン領域をp型またはn型にするためや，一部を低抵抗にするために利用する（不純物注入）。熱拡散で不純物を導入する方法に比べて，濃度や分布を制御しやすい。 |
| イオンビーム |
ion beam
真空中で加速・集束した細い線状のイオン粒子の流れのこと。イオンビームエッチングやイオンビームリソグラフィなどに利用されている。
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| 位相シフトマスク |
phase-shifting mask（PSM）
光の位相や透過率を制御することで，解像度や焦点深度（DOF：Depth of Field）を改善し，転写特性を向上させたフォトマスク。露光波長以下のリソグラフィには標準的に使われる。「ハーフトーン型」（Attenuated PSM）や「レベンソンマスク」（Alternative PSM）などがある。これに対して，従来の通常のフォトマスク（クロムマスク）は，光を透過する/遮断するという機能だけのため，バイナリマスクという。
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う
| ウェットエッチング |
wet etching
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| ウェハ（ウェーハ） |
wafer
単結晶のシリコンインゴットから切り出し，表面を研摩した円板状の薄い板のこと。この上に各種ICが作られる。最近では直径が300mm（12インチ）のウェハがLSIの量産に使用されている。
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| ウェハプロセス |
wafer process
ウェハの上に多数のICチップを作り込む工程。前工程，拡散工程ともいう。
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| ウェハレベルCSP |
wafer level chip size package
個々のチップに分割する前のウェハ段階で，外部接続用の電極を設け，樹脂封止をしたパッケージ形態。
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え
| エキシマレーザ |
excimer laser
IC のリソグラフィ工程（露光工程）で用いるレーザ光源のこと。KrF（フッ化クリプトンエキシマレーザ，波長248nm），ArF（フッ化アルゴンエキシマレーザ，波長193nm），F2（フッ素エキシマレーザ，波長157nm）などがある。KrFはハーフピッチ0.25〜0.13μmの量産に，またArFは同0.13〜0.07μm用として採用されている |
| 液晶 |
liquid crystal
液晶を光シャッタとして用いたディスプレイをLCD（Liquid Crystal Display）という。通常，物質は温度を上げていくとある温度で固体から液体に変化するが，特殊な分子構造をもつ物質の中には液体に直接転移せず，中間状態を経てから通常の液体になるものがある。この固体，液体，気体のいずれにも属さない第4の状態を示す物質が液晶である。液晶は液体のように流動性があり，電気光学的には結晶（固体）の特性をあわせもつ。 |
| 液浸リソグラフィ |
immersion lithography
フォトリソグラフィ（光露光）で，縮小投影レンズとフォトレジスト（ウェハ基板）との間に，屈折率が1より大きい液体を充填してパターンを転写する技術。液体の屈折率をnとすると，投影レンズの開口数NAがn倍に拡大され，解像性能がn倍向上する。現状では液体として水（n＝1.4）が用いられている。
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| エッチング |
etching
食刻ともいう。一般には化学薬品などの腐食作用によって物体を削ること。LSIやプリント配線基板など精密な加工に多く使われる。フォトリソグラフィ（光露光）で形成したレジストパターンをマスクにして，下地の薄膜をエッチングし，パターン形成を行う。薬液を用いる方法を「ウェットエッチング」，プラズマやイオンを利用する場合を「ドライエッチング」という。 |
| エピタキシャル成長 |
epitaxial growth
下地の単結晶基板上に，それにならって結晶方位，結晶構造，近い格子定数をもつ膜を堆積させる方法。
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| エレクトロマイグレーション |
electromigration
半導体デバイスなどの金属配線中を電流が流れるとき，電子と原子の衝突による運動量の移転で，電子の流れる方向に原子が移動する現象。電流密度が増大すると配線が断線を起こす。この配線寿命は，電流密度の2〜3乗に逆比例する。すなわちデバイスの微細化は，電流密度の増加につながり，寿命を著しく低下させる恐れがある。また，金属配線が熱によって応力を受け断線につながるストレスマイグレーションもある。 |
| エレクトロルミネッセンス |
electroluminescence
ELともいう。材料により有機ELと無機ELがある。有機ELは陽極から注入されたホール（正孔）と陰極から注入された電子とが有機発光層で再結合して発光する。直流電流の注入によって発光する発光ダイオード（LED）と同じ発光機構をもつため，有機LED（OLED）とも呼ばれる。液晶，PDPに次ぐディスプレイへの応用が期待されている。無機ELは，蛍光体を含む膜に交流高電界を加えたときに起こる電子の衝突励起によって発光する。ZnS:Mnによるオレンジ色の発光が代表的。
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| エンベデッドセルアレイ |
embedded cell array
ECA，エンベデットアレイともいう。ゲートアレイの一つ。ゲートアレイに機能ブロックを組み込み，特定用途向けを指向したIC。RAMやROM，CPUなどを効率よく内蔵できる。SOG（Sea of Gate）やチャネルレス型ゲートアレイと呼ぶエンベデッド・アレイもある。
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