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か〜こ
か
| カーボンナノチューブ |
carbon nano tube
炭素の六員環だけを平面状につなげた六角網構造のシートを筒状に丸めた基本結晶構造をもち，単層CNT（Carbon Nano Tube）と呼ばれる。CNTには筒が多層に重なった多層CNT や，チューブの直径が異なるものなどがある。それぞれ違った特性をもち，金属から半導体（p型またはn型）の特性を示す。半導体では融点が高く，電子（またはホール）移動度と熱伝導率がシリコンよりはるかに大きい。トランジスタやフィールドエミッションディスプレイ（FED），燃料電池の電極材料などの応用を目指した開発が進められている。
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| 化学的気相成長法 |
chemical vapor deposition
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| 化学的機械的研磨 |
chemical mechanical polishing
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| 拡散層 |
diffusion layer
半導体表面から熱的な方法で不純物原子を注入すると，深さ方向に濃度勾配をもった層（p型，n型の層）ができる。この層のことを拡散層という。拡散層中での不純物原子の濃度は均一でなく，内部にいくに従って薄くなる。このため拡散層の評価は表面濃度（シート抵抗），拡散層深さなどで行う。ICの中で拡散層は抵抗や配線などにも使われている。 |
| 化合物半導体 |
compound semiconductor
二つ以上の元素からなる半導体をいう。GaAs，InP，GaNなどがある。III族とV族，II族とVI族，IV族とIV族などの元素を組み合わせることで，シリコン（Si）やゲルマニウム（Ge）など単一元素では実現できない半導体の特性を実現することが可能である。超高速・超高周波デバイスや，光デバイス（半導体レーザ，LED）などに利用されている。
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| カスタムIC |
custom integrated circuits
ユーザ（顧客）の仕様に合わせて作る特注のICやLSI。フルカスタムICとセミカスタムICがある。時間が経ち，量が増え，標準品（ASSP）となることもある。フルカスタムICは完全な特別設計なので，開発期間が長く，開発コストも高い。このため，ゲートアレイやスタンダードセルが利用される。
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| 画素 |
pixel
ディスプレイなどで，文字や絵などの画像を構成する最小単位。この画素を，R（赤）G（緑）B（青）など3原色に分解した場合は，それぞれを「ドット」という。RGBの3ドットで1画素を構成する。一つの画像の画素数が多いほど画像ははっきりする（解像度が高い）。CCDやCMOS撮像素子では，受光しその信号が出力される最小単位を有効画素といい，その総数を有効画素数という。これ以外に光電変換機能をなくした画素も含めたものを総画素数という。 |
| ガリウムひ素半導体 |
gallium arsenide semiconductor
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き
| 寄生パラメータ |
parasitic parameter
ゲート電極と基板の間，配線と基板の間，配線と配線の間の容量Cや配線自体の抵抗R，配線層をつなぐスルーホールや配線と拡散層をつなぐコンタクトホールの抵抗R，それらによるインダクタンスLやトランジスタ成分などを総称して寄生パラメータという。 |
| 気相成長 |
vapor phase growth
材料を気体（気相）状態にして結晶基板表面に薄膜を成長する技術。これには，化学的気相成長法（CVD）と物理的気相成長法（PVD）がある。
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| 揮発性メモリ |
volatile memory
電源を切ると記憶しているデータが消えてしまうメモリ。SRAM，DRAMが代表的である。
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| 強誘電体 |
ferroelectric material
外部からの電界の方向によって，自発分極の向きが変わる誘電体のこと。 |
| 強誘電体メモリ |
ferroelectric random access memory
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く
| 組み立て工程 |
assembly and testing process
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| クリーンルーム |
clean room
非常に清浄な環境条件を保ち，同時に温度・湿度を制御・モニタしている工場または作業場所。ICでは，nmオーダの超微細なパターンを加工しているため，微量のゴミ（パーティクル）や金属，各種イオン，有機物などの不純物が存在すると，ICの歩留りや性能，信頼性などを低下させる。そのため，ICの製造はクリーンルーム内で行う。クリーンルームの清浄度のレベルは，存在するゴミの粒径と個数によって「クラス」という名前で表される。清浄環境を実現するため，一般には全体に与圧をかけ，天井のフィルタから網目状になっている床に向かって絶えず空気を流し続けている（ダウンフロー）。クリーンルームの建設コストや運転コストを下げる目的で，SMIFやFOUPなどの局所クリーン化方式が採用されている。
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け
| ゲートアレイ |
gate array
ASICの一つ。開発期間と費用を減らして多品種少量の需要にも応えられるセミカスタムのデジタルIC。短期間にLSIが提供できる。基本セルを並べたマスタウェハ（配線の直前のウェハ）を準備しておき，ユーザの論理回路図とタイミングチャートをもとに配線を行う。従来は配線領域とゲート領域が分離固定されたタイプであったが，最近はSOG（Sea of Gate）型ゲートアレイが主流となっている。
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こ
| 光学近接効果補正 |
optical proximity correction（OPC）
LSIの加工寸法が微細化し露光波長に近づくと，マスクパターンの形状や大きさ，隣接パターンの影響によって，マスクパターンを忠実にウェハ上に露光できなくなる。この現象を光学近接効果（OPE：Optical Proximity Effect）という。そこで，あらかじめ変形を見越して，パターンの形状に応じて，パターンのエッジに段差（ジョグ）を付けたり，別のパターンを加えたり（ハンマヘッドやアシストバー，セリフ），またパターン幅を変えるなどの補正を行う。これをOPCという。
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| 高誘電率膜 |
high dielectric constant film
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| 固定小数点 |
fixed point
コンピュータが数値を扱うときの表現方法の一つ。小数点が特定の位置に固定されている数値の表現方法。表現できる数値の範囲は浮動小数点と比較すると狭いが，計算速度は速い。小数点を一番右に固定した固定小数点数が整数である。整数は最も計算速度が速い。
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