印は参照用語項目を示しています。
印は関連用語項目を示しています。
[ A - Z ] [ あ行 ] [ か行 ] [ さ行 ] [ た行 ] [ な行 ]
[ は行 ] [ ま行 ] [ や・ら・わ行 ]
な〜の
な
| ナノテクノロジ |
nanotechnology
1ナノメートル（nm）は10億分の1m。原子5個分程度の大きさに相当する。米国の物理学者Richard P.Feynmanによって提唱され，クリントン大統領の「国会図書館の情報を1個のチップに収める」という国家プロジェクトによって一気に広まった。エレクトロニクス，先端材料，バイオ，化学，医療，エネルギー，環境などあらゆる分野で大きな市場が見込まれている。
|
| 鉛フリーはんだ |
Lead（Pb）-free solder
鉛（Pb）フリーともいう。これまで，はんだには古くから錫と鉛の合金（Sn-Pb）が使われてきた。量産性・信頼性に優れるためである。しかし，環境や人体に有害となる鉛を削減しようという狙いから，Sn-Pb 系合金に替わるはんだ合金が開発されている。錫と銀と銅の合金（Sn-Ag-Cu），錫と銀とインジウムとビスマスの合金（Sn-Ag-In-Bi），錫と銅とニッケルの合金（Sn-Cu-Ni），錫と亜鉛とビスマスの合金（Sn-Zn-Bi）などがあり，なかでもSn-Ag-Cuが多くの基板実装に用いられている。しかし，組成によってはんだ付け温度が高くなったり，はんだ付け不良防止のために不活性雰囲気のプロセスを用いるなど，実装技術に工夫が求められる場合もある。 |
に
| 二酸化シリコン |
silicon dioxide
一般に「酸化膜」という。シリコン酸化膜ともいう。シリコン（Si）と酸素（O2）の化合物（SiO2）で，非常に安定な膜である。ICのMOSトランジスタのゲート絶縁膜やその他さまざまなところで用いられる。
|
ぬ
ね
| 熱CVD |
thermal chemical capor deposition
CVDの一つ。熱化学的気相成長法ともいう。ウェハや膜堆積用材料ガスを200〜900℃に加熱し，イオンラジカルなどを発生させてウェハと化学反応を起こし成膜する方法で，成膜時の圧力によって，常圧CVD，減圧CVDに分類される。
|
の
[ A - Z ] [ あ行 ] [ か行 ] [ さ行 ] [ た行 ] [ な行 ]
[ は行 ] [ ま行 ] [ や・ら・わ行 ]
