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さ〜そ
さ
| 最小寸法 |
minimum dimension
半導体のパターン設計で使用される最小の寸法。一般に配線ピッチやトランジスタのゲート長などで表される。ITRSではハーフピッチで表す。
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| サブストレート |
substrate
半導体デバイスを作り込む単結晶基板のこと。シリコンウェハもその一つ。フォトマスクの基板，電子回路モジュールの基板などをいう場合もある。一般には下地シートという意味で使われる。
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| 酸化膜 |
silicon dioxide
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し
| 紫外線露光 |
ultra-violet light exposure
UVリソグラフィ。UV露光ともいう。マスクパターンをウェハ上に転写するICの露光工程で，紫外線領域の波長の光源を用いた露光法。i線（波長365nm）ステッパなどがある。
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| システムLSI |
system LSI
SoC（System on a Chip）ともいう。装置（システム）のほとんどの機能を1チップ上で実現したLSI（大規模集積回路）。これまで複数のICを組み合わせて構成していた機能を1チップに集約したもの。小型で高性能な機器を実現できる。主に，プロセッサとメモリ，入出力回路，インタフェース回路，通信回路などから構成される。アナログ回路を搭載したLSIもある。回路規模が大きく設計に時間がかかるため，動作を確認した既存の回路ブロックを再利用する方法が不可欠になった。この再利用できる回路ブロックのことをIP（Intellectual Property：設計資産）という。
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| システム設計 |
system design
ICで1個のチップにもたせるべき機能や構成を決めるための，ハードウェア設計の最上位工程をいう。システム設計ではハードウェアとソフトウェアの分担を決めるアーキテクチャ設計が重要となる。
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| 自動テストパターン生成 |
automatic test pattern generation
ICの回路故障を検出するテストパターンを自動的に発生させること。略してATPG。特定した故障を想定しシステムのアルゴリズムに基づいてテストパターンを生成する方法と，特定の故障を想定せずにランダムにテストパターンを発生させる方法とがある。現在ではICの設計時，論理合成と同時にテストパターンが発生できるなど操作性，性能ともに向上している。とくにシステムLSI（SoC）のような大規模ICを設計する場合には，ATPGが必須となっている。 |
| シリコンサイクル |
silicon cycle
半導体産業特有の3〜5年周期で訪れる好不況の波。液晶ディスプレイ（LCD）の場合，同様な好不況の波を「クリスタルサイクル」という。
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| シリコンファウンドリ |
silicon foundry
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| シンクロナスDRAM |
synchronous DRAM
外部から入力するクロック信号に同期してデータを入出力するDRAM。
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| 真性半導体 |
intrinsic semiconductor
半導体で，単位体積あたりのキャリア（電子数をn，正孔数をpとしたとき）のうち，nとpが等しい場合を真性半導体という。他の原子を少し混ぜ，nとpのバランスを変えたものを不純物半導体。リン（P），ひ素（As），アンチモン（Sb）などの不純物元素を添加したものをn型半導体，ボロン（B），アルミニウム（Al）などの不純物元素を添加したものをp型半導体という。
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す
| スキャナ |
scanner
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| スクラバ |
scrubber
IC製造工程でウェハを回転させながら，ブラシを適当な圧力で接触させ，純水を流しながらブラシを回転・移動して，ウェハ表面の塵埃･堆積物を除去する洗浄機。
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| スタックドパッケージ |
stacked package
一つのパッケージに複数のICチップを積層・搭載したパッケージ。異なる種類のチップや同種のチップを積層することで，実装面積が削減でき，同一面積でデバイスの大容量化，高機能化が実現できる。
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| スタンダードセル |
standard cell
ASICの一種。セミカスタムLSIともいう。ゲートアレイよりもカスタム色が強い。あらかじめ設計され標準化されている機能セルを組み合わせて配置・配線する。チップ全体を設計するゲートアレイに比べてセルは最適設計されておりチップ面積の無駄も少ないが，チップごとにすべてのマスクを作成する必要があるため開発費が高く，開発期間も長くなる。
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| ステッパ |
stepper
縮小投影露光装置。IC製造工程でマスクパターンをウェハ上に転写する露光工程で使用する装置。マスク（レティクル）をレンズ光学系を介してウェハ上に縮小投影し，繰り返し転写（Step and Repeat）することからこの名がついた。露光光源には，可視光のg線（波長436nm），紫外線のi線（波長365nm），エキシマレーザのKrF（波長248nm），ArF（波長193nm）などを使う。転写時の縮小率は，4対1，5対1，10対1などがある。最近では，縮小投影レンズをステージに同期させて移動，連続的にマスクを走査する「スキャナ方式」のステッパが採用されている。露光範囲が広がり，チップサイズの大型化に対応でき，同時にスループットも向上できるからである。
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| スパッタリング |
sputtering
スパッタともいう。物理的気相成長法（PVD）の一つ。成膜とエッチングの両方の意味がある。真空中にアルゴンなどの放電用ガスを注入して，電極に電圧を加えるとグロー放電が発生する。このとき，プラズマの中のイオンが陰極のターゲットに衝突して原子をはじき出す現象をスパッタという。これを利用して気相成長やエッチングを行う。
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| スループット |
throughput
単位時間内に処理できる仕事量のこと。または，ある仕事を処理するのに必要な時間のこと。LSIや電子機器・部品工場では，製造ラインの処理能力を表す。入出力のための準備や後始末などの処理待ち時間も含む。狭義のコンピュータ用語としては，コンピュータの処理能力を示す。
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せ
| 静電破壊 |
Electrostatic Discharge（ESD）
人体や機器，周囲環境に帯電した静電気が，ICの端子から内部に浸入することで，pn接合部や配線，酸化膜を破壊する現象のこと。静電気対策として，IC内にダイオードや抵抗からなる入力保護回路を設ける。また，ICを輸送する場合の包装材料や作業環境にも帯電防止を行う。 |
| 設計基準 |
design rule
設計ルール，デザインルールともいう。ICを設計する時，素子各部の平面的寸法や相互の位置関係，素子間の立体的位置関係などを定めた基本規則（ルール）のこと。
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| セルベースIC |
cell based integrated circuit
ASICの一種。事前に用意したセルを組み合わせて目的のICを開発する。
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そ
| 走査型電子顕微鏡 |
scanning electron microscope
SEMともいう。高倍率・高分解能の機能をもつ高性能顕微鏡。ICの3次元微細構造観察や測定に使用される。この装置技術の応用に電子ビーム露光装置がある。 |
| 挿入実装 |
insertion mount
プリント基板などのIC実装方法の一つ。パッケージのリード（端子）を基板の穴（ホール）に差し込み，はんだ付けを行なう方法である。これに対して，基板表面に装着する実装を表面実装（SMT）という。
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