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た～と
た
| ダイ |
die
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| ダイシング |
dicing
ウェハ製造工程で完成したウェハ上のチップを，スクライブラインに沿ってダイヤモンドカッタ（ブレード）で切断し，個々のチップに分割する工程。ダイシングには，ウェハ切断時にウェハの厚みを一部残して切り込むハーフカット法と，完全に切断するフルカット法とがある。 |
| 多層配線 |
multi-layer interconnection
2層以上の複数配線を縦方向に積み重ねたICの配線構造。一般には，アルミニウム（Al）や銅（Cu）のメタル配線を意味する。最近では，システムLSIのように大規模化・高集積化となったため，多層配線が多く利用されている。 |
| 多層レジスト |
multi-layer resist
フォトレジストや無機系薄膜（SOG：Spin on Glass）などを積層したエッチングマスクを多層レジストと呼ぶ。一般にフォトレジストに形成されたパターンは，逐次下層の膜へ加工転写され，最終的に被加工膜が加工される。加工寸法の微細化とともに，フォトレジストは薄膜化される。しかし，エッチング耐性の劣化や，露光時にレジスト内部で発生する酸の拡散によってレジストの解像度が低下するなどの問題が起こる（LER：Line Edge Roughness）。この問題をレジスト膜を多層化することで解決する。たとえば薄い上層部で微細パターン化を実現し，厚い下層部でエッチング耐性や反射特性，形状を制御する。液浸露光のトップコート，反射膜機能，化学増幅機能などを考慮した多層レジストも開発されている。
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| ダマシン法 |
damascene
LSIの金属配線形成法の一つ。メッキ技術とリフトオフ法を併用した薄膜形成技術。銅（Cu）配線で注目された方法で，層間絶縁膜中に配線形状の溝を形成して，銅などの金属を埋め込む。接続孔に金属のコンタクトプラグを形成した後に配線溝を形成する「シングルダマシン配線法」と，接続孔および配線溝を形成した後，金属を1度に埋め込む「デュアルダマシン配線法」がある。多層配線層を平坦にするCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術と組み合わせて使われている。絶縁層に微細な金属配線層を埋め込む象嵌（damascene）的手法からこの名がある。
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| 単一電子トランジスタ |
single electron transistor
1 個の電子のトンネリングによる電圧変化を利用するトランジスタ。薄い絶縁膜を設けた微小なキャパシタを利用したトランジスタが開発されている。
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| 単電子デバイス |
single electron device
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ち
| チップ |
chip
ダイ（die）ともいう。ICやLSIの代名詞として使われている。デバイス機能あるいは電子回路を作り込んだシリコン基板の小片。ICの種類によって，また同一技術でも回路の複雑さや集積度によって，チップの寸法はいろいろなものがある。製造工程ではペレット（Pellet）とも呼ぶ。またパッケージされたICの完成品をチップということもある。 |
| チップセット |
chip set
一つのまとまったシステム機能を実現するために必要とされる，お互いに関連性の高いICチップの組み合わせのこと。 |
| チャンバ |
chamber
物理的，化学的反応を起こさせるための密封した反応容器。ICの製造では，CVD，スパッタリング，エッチングの各装置で使われている。
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| 超解像 |
super-resolution
回折限界を「超える」という意味。光学系では一般に，解像できる物体の大きさRは，光の波長λに比例し，対物レンズの開口数（NA：Numerical Aperture）に反比例する。R＝k1・λ/NAという関係がある。たとえば，波長193nmのArFエキシマレーザで，NA0.75のレンズを使い，k1を0.35とした場合，90nmの解像度となる。この波長限界以下のパターンを露光する技術をいう。k1を小さくする工夫が「位相シフトマスク」「多層レジスト」などの技術で，またNAを大きくする有力な方法がレンズとウェハの間に水（屈折率n＝1.44）を浸す「液浸露光技術」などである。
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| 直接描画 |
direct writing
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つ
て
| 低誘電率膜 |
low dielectric constant film
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| デザインルール |
design rule
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| デジタルシグナルプロセッサ |
digital signal processor
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| デバイス設計 |
device design
ICの3次元的構造を決める設計。構成要素素子，素子間分離，配線系などに関する形状，電気，物性の各特性に関する各技術要素をもとに，目的とする特性を得るようにICの構造を設計すること。
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| デポジション |
deposition
堆積。LSI製造工程では薄膜を堆積する工程をいう。気相成長法（PVD，CVD，真空蒸着やスパッタリング法）を用いる。このほか膜形成の手段には，印刷法，スピンコート法，メッキ法などもある。かつては印刷法（スクリーン印刷）は厚膜形成，蒸着法などは薄膜形成と分かれていたが，最近ではスクリーン印刷法でも金属薄膜が形成できるようになった。
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| デュアルダマシン |
dual-damascene
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| 電子ビーム露光 |
electron beam exposure
電子線露光，EB 露光ともいう。IC製造工程でウェハ上に塗布したレジスト（感光性樹脂）にパターン転写を行う露光法の一つ。電子ビームの走査方式（描画方式）には，ラスタ走査方式とベクタ走査方式がある。ベクタ走査方式には電子ビームの形状を矩形や三角形にして，スループットを高めた可変成型の電子ビーム露光装置がある（マスク描画用）。また，ウェハ上に直接，電子ビームでパターンを露光する電子ビーム直接描画（ML2：Mask-Less Lithography）に向けた装置も開発されている。シングルコラム（鏡筒）のブロック露光方式とマルチビーム方式があり，マルチビーム方式にはマルチビーム可変矩形方式や電子源をマトリクス状に配置した面状電子源方式，大面角に配置した並列ビームを同時に走査するCLA（Correction Lens Array）方式などがある。さらに，マスクを使う電子ビーム直接露光装置には低加速電子ビームを使う等倍露光方式（ PEL：Proximity EB Lithography）と，縮小マスクを使うEPL（EB Projection Lithography）とがある。
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と
| 銅配線 |
copper wiring
IC の配線材料としてはアルミニウム（Al）が一般的である。これを銅（Cu）に変えると，アルミニウムに比べて電気抵抗率が約半分となり，配線遅延が少なく，高速化が可能となる。このためMPUなど高速のLSI配線材として採用されている。 |
| ドーピング |
doping
半導体の製造工程では，純粋な半導体にごく少量の添加物を混入（添加）することをいう。添加物は通常，不純物（ドーパント）と呼ばれ，ドープされた半導体を不純物半導体と呼ぶ。添加物の種類と濃度によってさまざまな性質の半導体を形成する。添加物には，ドナーと呼ばれるⅤ価の金属（アンチモン，ひ素，リンなど）と，アクセプタと呼ばれるⅢ価の金属（ほう素，ガリウム，インジウムなど）がある。ドナーをドープすると，自由電子が増え，n 型半導体となる。一方，アクセプタをドープすると，電子の欠乏による正孔が発生し，p型半導体となる。 |
| ドライエッチング |
dry etching
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